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龙图腾网获悉吉林大学申请的专利一种原位C掺杂的P型六方氮化硼薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117512559B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311501689.1，技术领域涉及：C23C16/34；该发明授权一种原位C掺杂的P型六方氮化硼薄膜及其制备方法是由陈占国;范盛达;刘晓航;陈曦;侯丽新;刘秀环;赵纪红;高延军设计研发完成，并于2023-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种原位C掺杂的P型六方氮化硼薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：一种原位C掺杂的P型六方氮化硼薄膜及其制备方法，属于半导体薄膜制备和掺杂技术领域。本发明采用低压化学气相沉积LPCVD技术，通过BCl3+NH3→hBN+HCl反应在衬底上生长本征hBN薄膜缓冲层，然后在缓冲层上以Cp2Mg为掺杂源进行原位掺杂，受控降温后得到原位C掺杂的P型六方氮化硼薄膜。薄膜的生长速率与厚度可通过生长温度、生长源流量等进行调控，其电学性质与掺杂浓度可通过掺杂源加热温度与稀释比例进行调节。本发明所述方法简单稳定且掺杂均匀，能够制备出空穴浓度较高的P型hBN薄膜，进一步通过异质外延等方式，可以与其他半导体材料形成各种半导体器件。

本发明授权一种原位C掺杂的P型六方氮化硼薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种原位C掺杂的P型hBN薄膜的制备方法，其步骤如下： 1将衬底依次使用丙酮、乙醇、去离子水分别超声清洗3～8min，然后放入低压化学气相沉积设备的腔室； 2将腔室真空度抽至5×10-4Pa以下，向腔室中通入高纯氮气使腔室气压稳定在50～500Pa后，对腔室进行升温； 3本征hBN薄膜缓冲层的生长：腔室升温至700～900℃后，使用N2作为载气，分别携带BCl3与NH3进入腔室进行缓冲层生长，得到厚度为50～250nm的本征hBN薄膜缓冲层； 4C掺杂P型hBN薄膜的生长：关闭步骤3的所有反应源，将腔室继续升温至1000～1400℃，然后再次开启BCl3与NH3，使用N2作为载气；同时将Cp2Mg以25～50℃水浴加热挥发，并使用N2作为载气经稀释后携带汇入BCl3的管路中，在本征hBN薄膜缓冲层上制备得到厚度为0.5～5μm的C掺杂P型hBN薄膜； 5关闭步骤4的所有反应源结束生长；在氮气的保护下，将腔室进行受控降温至380～420℃，之后再使腔室自然降温至室温； 6将步骤5降至室温的腔室充入氮气，使腔室气压回到常压；打开腔室，取出薄膜样品，从而在衬底上完成C掺杂P型hBN薄膜的制备。

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