苏州能讯高能半导体有限公司韩啸获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州能讯高能半导体有限公司申请的专利一种半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118281039B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211730431.4，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种半导体器件及其制备方法是由韩啸设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括有源区以及围绕有源区的无源区；半导体器件还包括：衬底、外延结构、键合结构以及至少一个屏蔽结构，屏蔽结构用于对键合结构进行屏蔽保护且屏蔽结构与位于所述无源区的二维电子气形成欧姆接触。通过增设屏蔽结构，且屏蔽结构与位于无源区的二维电子气形成欧姆接触，能够有效屏蔽封装过程中贴片银浆中的银离子迁移至键合结构，保证键合结构以及与键合结构连接的电极性能稳定，避免键合结构以及与键合结构连接的电极与源极发生短路，并且通过屏蔽结构与二维电子气形成欧姆接触，能够增强屏蔽效果，保证半导体器件正常工作。
本发明授权一种半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括有源区以及围绕所述有源区的无源区； 所述半导体器件还包括： 衬底； 位于所述衬底一侧的外延结构，所述外延结构中形成有二维电子气，部分所述二维电子气位于所述无源区； 位于所述外延结构远离所述衬底一侧，且位于所述无源区的至少一个键合结构； 位于所述外延结构远离所述衬底一侧的至少一个屏蔽结构，所述屏蔽结构用于对所述键合结构进行屏蔽保护，且所述屏蔽结构与位于所述无源区的所述二维电子气形成欧姆接触； 其中，沿所述半导体器件的厚度方向，与所述屏蔽结构形成欧姆接触的所述二维电子气和所述屏蔽结构存在交叠； 其中，所述屏蔽结构包括第一边界； 与所述屏蔽结构形成欧姆接触的所述二维电子气包括第二边界，所述第二边界与所述第一边界对应设置； 所述第一边界与所述半导体器件的边缘之间的最小距离为L1，所述第二边界与所述半导体器件的边缘之间的最小距离为L2，其中，|L2-L1|≤10µm。
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