福建省晋华集成电路有限公司袁梦洁获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118299270B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410458532.3，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件的制备方法是由袁梦洁;吴家伟;上官明沁;徐文杰设计研发完成，并于2024-04-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明了提供一种半导体器件的制备方法，包括：提供衬底，衬底上形成有由下至上依次堆叠的源极结构和栅极结构，源极结构和栅极结构之间形成有第一隔离材料层；形成第二隔离材料层填充于相邻栅极结构之间且位于栅极结构上；形成栅极介质层贯穿部分第二隔离材料层和栅极结构；形成通道层贯穿部分第二隔离材料层、栅极结构和第一隔离材料层并与源极结构接触，部分栅极介质层位于栅极结构和通道层之间；对通道层的表面执行第一退火工艺；形成漏极半导体层位于通道层内及第二隔离材料层上；以及，对漏极半导体层的表面执行第二退火工艺。本发明能够使得通道层和漏极半导体层满足相应的性能要求，以提高半导体器件的可靠性。
本发明授权半导体器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底上形成有由下至上依次堆叠的源极结构和栅极结构，所述源极结构沿第一方向延伸，所述栅极结构在第一方向上彼此间隔排布，所述源极结构和所述栅极结构之间形成有第一隔离材料层； 形成第二隔离材料层填充于相邻所述栅极结构之间且位于所述栅极结构上； 形成栅极介质层贯穿部分所述第二隔离材料层和所述栅极结构； 形成通道层贯穿部分所述第二隔离材料层、所述栅极结构和所述第一隔离材料层并与所述源极结构接触，部分所述栅极介质层位于所述栅极结构和所述通道层之间； 对所述通道层的表面执行第一退火工艺； 形成漏极半导体层位于所述通道层内及所述第二隔离材料层上；以及， 对所述漏极半导体层的表面执行第二退火工艺。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人福建省晋华集成电路有限公司，其通讯地址为：362200 福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励