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南京航空航天大学张健获国家专利权

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龙图腾网获悉南京航空航天大学申请的专利用于增材制造变截面端部换位绕组及其优化方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118399694B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410492347.6,技术领域涉及:H02K15/08;该发明授权用于增材制造变截面端部换位绕组及其优化方法是由张健;桂馨雅;邓千寻;何佳怡;朱了骏;张卓然设计研发完成,并于2024-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。

用于增材制造变截面端部换位绕组及其优化方法在说明书摘要公布了:本发明实施例公开了一种用于增材制造变截面端部换位绕组及其优化方法,电机绕组设计优化领域。在传统均匀截面的扁线绕组的基础上,进行了变截面与端部换位的设计,对导体的截面高度与导体间的间距进行了优化。基于交流铜损解析模型,结合槽内磁密的分布情况,在忽略环流损耗的情况下,建立了绕组的涡流和直流损耗的优化模型,得到了导体截面的高度参数。变截面绕组的两层换位结构以平衡支路的电势差,减小环流损耗。优化导体间间距,并将变截面端部换位绕组与等截面端部换位绕组进行了有限元验证分析与对比。本发明的变截面换位结构能够有效抑制高速工况下运行的电励磁双凸极电机的高频交流铜损,具有广泛的应用前景。

本发明授权用于增材制造变截面端部换位绕组及其优化方法在权利要求书中公布了:1.一种用于增材制造变截面端部换位绕组的优化方法,其特征在于,包括: S1、获取待优化的端部换位绕组的初始信息,根据所述初始信息建立绕组交流损耗解析模型; S2、根据所述绕组交流损耗解析模型和槽内磁密的分布情况,建立第一优化模型,所述优化模型的输出结果包括优化后的导体截面的高度; S3、建立第二优化模型,所述第二优化模型的输出结果包括优化后的绕组导体间的间距值; S4、将所述第一优化模型和第二优化模型的输出结果,向增材制造设备传输,所述增材制造设备用于制造电励磁双凸极电机的端部换位绕组; 在S1中,所述绕组交流损耗解析模型包括:PCu=PCu_dc+Peddy+Pcir,其中,PCu表示绕组交流损耗,PCu_dc表示绕组的直流损耗,Peddy表示绕组的涡流损耗,Pcir表示绕组的环流损耗; 其中,所述初始信息包括绕组匝数N、绕组电流的有效值Irms、绕组的电阻R、绕组的轴向长度l、导体电阻率ρ、矩形绕组的长度a和宽度h、通过每个矩形绕组截面的磁密沿x轴和y轴的分量B和B 在S2中,所述第一优化模型,包括: 其中,z为绕组中的涡流损失和直流损失之和,a和h分别为矩形导体的长度和宽度,Bix为各矩形导体截面上沿x轴方向的磁密,d为相邻导体之间的间距,h为绕组的总高度,hmin为由于增材制造技术工艺的限制导体所允许的最小厚度,i为正整数用于表示矩形导体的编号,n为槽内总导体数,I为绕组电流的有效值; 在S3中,所述第二优化模型,包括: 通过改变槽底导体的截面高度,并在保持绕组的总高度不变的同时改变导体间的间距,使得电流较小的支路中的导体感应电势增加,从而减小由股间电位差引起的循环电流损失,改变间距前后的导体电压满足条件:其中,Ui,U′i分别是改变间距前后导体的电压,U0为槽底导体电压,hi为该导体与槽底导体几何中心点的距离,d为增加的间距; 通过matlab程序加载所述第二优化模型并获取最小环流损耗和对应的间距值。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人南京航空航天大学,其通讯地址为:211106 江苏省南京市江宁区将军大道29号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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