厦门乾照光电股份有限公司赵斌获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门乾照光电股份有限公司申请的专利一种高压LED芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118472133B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410201658.2，技术领域涉及：H10H20/813；该发明授权一种高压LED芯片及其制作方法是由赵斌;罗桂兰;杨克伟;曲晓东;陈凯轩设计研发完成，并于2024-02-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高压LED芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种高压LED芯片及其制作方法，将第一发光外延至第N发光外延沿第一方向上叠层设置，由此使得高压LED芯片的整体面积与单个发光外延的面积的差异相差较小，进而在将所有发光外延串联电连接而实现高压LED芯片的功能基础上，有效减小了高压LED芯片的面积，利于高压LED芯片的集成封装。同时，本发明提供的第一发光外延至第N发光外延可以进行相同发光颜色的设计，以实现高压LED芯片的发光强度的提升。或者第一发光外延至第N发光外延还可以设计为至少一个发光颜色与其他不同以实现混光，从而实现更加丰富的出光效果。
本发明授权一种高压LED芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种高压LED芯片，其特征在于，所述高压LED芯片包括： 沿第一方向依次叠加的固定衬底、第一发光外延至第N发光外延，N为不小于2的整数； 所述第一发光外延至所述第N发光外延中任意一发光外延包括沿所述第一方向依次叠加的第一半导体层、发光层和第二半导体层，且第i发光外延的第二半导体层与第i+1发光外延的第一半导体层之间键合电连接，i为小于N的正整数； 所述第i+1发光外延的第一半导体层朝向所述固定衬底一侧设置有第一绝缘层，其中，所述第一绝缘层包括有多个第一通孔，所述第一通孔内设置有第一键合电极与所述第i+1发光外延的第一半导体层电连接； 所述第i发光外延的第二半导体层背离所述固定衬底第一侧设置有第二绝缘层，其中，所述第二绝缘层包括多个第二通孔，所述第二通孔内设置有第二键合电极与所述第i发光外延的第二半导体层电连接； 所述第一键合电极和所述第二键合电极相对应键合为连通电极。
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