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龙图腾网获悉碳一新能源(杭州)有限责任公司申请的专利硅碳负极材料及其制备方法、负极片和电化学储能装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118538886B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410419751.0，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权硅碳负极材料及其制备方法、负极片和电化学储能装置是由瞿赢定;叶翠翠;杜宁;卢陈杰;林宗玺;周怡;岳敏设计研发完成，并于2024-04-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本硅碳负极材料及其制备方法、负极片和电化学储能装置在说明书摘要公布了：本发明涉及一种硅碳负极材料，包括：硅碳材料以及包覆于硅碳材料表面的温敏型聚合物，当硅碳负极材料所处的温度条件小于温敏型聚合物的临界溶解温度时，硅碳负极材料呈现疏水性，当硅碳负极材料所处的温度条件大于温敏型聚合物的临界溶解温度时，硅碳负极材料呈现亲水性。本发明还涉及所述硅碳负极材料的制备方法、负极片和电化学储能装置。采用本发明硅碳负极材料制备负极片，当匀浆的温度小于温敏型聚合物的临界溶解温度时，硅碳负极材料呈现疏水性，能够有效减少硅与水的接触，降低因硅与水发生反应而产生的氢气量，使得制备过程安全性更高，同时，还能够减少制得的负极片的气孔、划痕和掉料等问题，提高负极片的性能。

本发明授权硅碳负极材料及其制备方法、负极片和电化学储能装置在权利要求书中公布了：1.一种硅碳负极材料，其特征在于，包括：硅碳材料以及包覆于所述硅碳材料表面的温敏型聚合物，当所述硅碳负极材料所处的温度条件小于所述温敏型聚合物的临界溶解温度时，所述硅碳负极材料呈现疏水性，当所述硅碳负极材料所处的温度条件大于所述温敏型聚合物的临界溶解温度时，所述硅碳负极材料呈现亲水性； 其中，所述温敏型聚合物由式I、式Ⅱ、式Ⅲ以及式Ⅳ中的至少两种单体聚合得到： 式I中，R1-R3独立的选自未取代的-H、C1-C30的烷基、C3-C30的环烷基、C3-C30的烯基、C3-C30的炔基、C6-C30的芳香基、C3-C30的杂环基、C5-C30的杂芳香基，或者，选自含有至少一个杂原子或具有取代基的C1-C30的烷基、C3-C30的环烷基、C3-C30的烯基、C3-C30的炔基、C6-C30的芳香基、C3-C30的杂环基、C5-C30的杂芳香基，其中，所述杂原子选自O、S、N、Si、P中的至少一种，所述取代基选自卤素原子、C1-C20直链或支链的烷基、C3-C20的环烷基、C1-C20直链或支链的烷氧基、C6-C30的芳香基、C5-C30的杂芳香基中的至少一种，且R3不为-H时，A选自SO3-、COO-、PO42-、HPO4-中的任一种； 式Ⅱ中，R4选自未取代的-H、C1-C30的烷基、C3-C30的环烷基、C3-C30的烯基、C3-C30的炔基、C6-C30的芳香基、C3-C30的杂环基、C5-C30的杂芳香基，或者，选自含有至少一个杂原子或具有取代基的C1-C30的烷基、C3-C30的环烷基、C3-C30的烯基、C3-C30的炔基、C6-C30的芳香基、C3-C30的杂环基、C5-C30的杂芳香基，其中，所述杂原子选自O、S、N、Si、P中的至少一种，所述取代基选自卤素原子、C1-C20直链或支链的烷基、C3-C20的环烷基、C1-C20直链或支链的烷氧基、C6-C30的芳香基、C5-C30的杂芳香基中的至少一种；R5选自-H或其中，R选自-H、含有酰胺基团的C1-C30的烷基、含有酰胺基团的C3-C30的环烷基、含有酰胺基团的C3-C30的烯基、含有酰胺基团的C3-C30的炔基、含有酰胺基团的C6-C30的芳香基、含有酰胺基团的C3-C30的杂环基或含有酰胺基团的C5-C30的杂芳香基； 式Ⅲ中，R6选自氰基或苯基； 式Ⅳ中，R7选自1-丁烯基或2-氨基己酸基。

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