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龙图腾网获悉深圳市中科光芯半导体科技有限公司申请的专利一种用于高速通信的垂直腔面发射激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118630576B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410789562.2，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权一种用于高速通信的垂直腔面发射激光器及其制备方法是由郑君雄;杨旭设计研发完成，并于2024-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于高速通信的垂直腔面发射激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种用于高速通信的垂直腔面发射激光器及其制备方法。垂直腔面发射激光器包括外延片、氧化层、电绝缘区、介质层以及P、N金属层。垂直腔面发射激光器结构满足:1、外延片包括总厚度为12倍光学波长的谐振腔。氧化层形成于谐振腔中有源区之上。2、电绝缘区采用离子注入形成，并且电绝缘区自上而下形成至谐振腔中有源区之下。3、在出光孔附近设置上述实施例所述的浮雕结构；以上三种结构特性的配合能够实现用于高速调制的单模垂直腔面激光器。通过出光孔表面刻蚀出浮雕结构，相互之间间隔设置的介质区域和非介质区域提供了整体不同的反射率，实现对高阶模进行过滤，从而形成单模输出。

本发明授权一种用于高速通信的垂直腔面发射激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于高速通信的垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括： 外延片，所述外延片包括：自下而上依次设置的衬底、N型布拉格反射镜、谐振腔、形成于所述谐振腔中的有源区、P型布拉格反射镜； 形成于所述谐振腔中所述有源区之上的氧化层；所述氧化层包括氧化孔； 离子注入后形成的电绝缘区，所述电绝缘区自上而下形成至所述谐振腔中所述有源区之下； 形成于所述外延片之上的介质层；以及， 形成于所述外延片之上的P金属层； 其中，所述谐振腔的总厚度为12倍光学波长； 其中，所述垂直腔面发射激光器还包括出光孔，所述出光孔形成于所述P型布拉格反射镜之上，所述出光孔的直径大于所述氧化孔的直径； 所述出光孔设置有浮雕结构，所述浮雕结构通过部分刻蚀所述介质层的表面形成，所述浮雕结构具有非介质区域和介质区域； 所述介质区域包括：第一介质区、第二介质区和第三介质区； 所述非介质区域包括：第一非介质区和第二非介质区； 所述第一介质区和所述第二介质区之间设置所述第一非介质区；所述第二介质区和所述第三介质区之间设置所述第二非介质区； 所述第一介质区为实心圆形，所述第一介质区的中心与所述氧化孔的中心连接形成的直线与所述衬底所在的延伸平面垂直；所述第一介质区的直径小于所述氧化孔的直径； 所述第二介质区为环形，所述第二介质区的内圆中心和外圆中心均与所述第一介质区的中心重合；所述第二介质区的环宽为第一宽度； 所述第三介质区为环形，所述第三介质区的内圆中心和外圆中心均与所述第一介质区的中心重合；所述第三介质区的环宽为第二宽度； 所述第一宽度大于所述第二宽度； 所述第一介质区的直径大于所述第一宽度。

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