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龙图腾网获悉苏州晶湛半导体有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118676282B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310257366.6，技术领域涉及：H10H20/841；该发明授权半导体结构及其制作方法是由张丽旸设计研发完成，并于2023-03-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构包括：驱动衬底，与该驱动衬底连接的第一外延结构以及与该第一外延结构连接的第二外延结构，驱动衬底通过金属电极选择性地与第一外延结构的第一半导体层和第二半导体层以及第二外延结构的第三半导体层和第四半导体层连接，以独立地控制所述第一外延结构和所述第二外延结构。一方面，能够实现在同一驱动衬底上同时具有两种主发光波长的两个发光单元，进而实现高显色指数的LED白色背光；另一方面，能够实现两个发光单元的独立控制，进而实现LED的全彩显示。

本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 驱动衬底3， 第一外延结构1，其与所述驱动衬底3连接，所述第一外延结构1包括第一半导体层101、第二半导体层102和位于所述第一半导体层101与所述第二半导体层102之间的第一发光层103，所述第一半导体层101和所述第二半导体层102的导电类型相反，所述第一半导体层101位于所述第一外延结构1的靠近所述驱动衬底3的一侧；以及 第二外延结构2，其与所述第一外延结构1连接，所述第二外延结构2包括第三半导体层201、第四半导体层202和位于所述第三半导体层201与所述第四半导体层202之间的第二发光层203，所述第三半导体层201和所述第四半导体层202的导电类型相反，所述第二半导体层102和所述第四半导体层202的导电类型相同，所述第四半导体层202位于所述第二外延结构2的靠近所述驱动衬底3的一侧，以使所述第四半导体层202与所述第二半导体层102连接； 其中，所述驱动衬底3通过金属电极分别与所述第一半导体层101、所述第二半导体层102、所述第三半导体层201和所述第四半导体层202连接，以独立地控制所述第一外延结构1和所述第二外延结构2； 其中，所述第一外延结构1具有第一图形化结构，所述第二外延结构2具有与所述第一图形化结构对应的第二图形化结构，所述第一外延结构1和所述第二外延结构2通过所述第一图形化结构和所述第二图形化结构的嵌合而连接。

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