安徽格恩半导体有限公司邓和清获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种氮化物半导体发光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118712298B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410797647.5，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种氮化物半导体发光二极管是由邓和清;郑锦坚;阚宏柱;张江勇;蓝家彬;张会康;蔡鑫;寻飞林;陈婉君;李水清设计研发完成，并于2024-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮化物半导体发光二极管在说明书摘要公布了：本发明提出了一种氮化物半导体发光二极管，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体，量子阱和p型半导体，所述量子阱为阱层和垒层组成的周期结构，所述p型半导体上方设置有p型接触层，所述p型接触层具有饱和电子漂移速率分布特性、轻空穴有效质量分布特性、形变势分布特性和极化光学声子能量分布特性。本发明能够增强p型接触层的空穴输运通车，提升p型接触层的空穴的横向扩展和纵向扩展能力，改善发光二极管的浪涌能力和抗击人体模式静电击穿能力，抗击人体模式静电击穿能力从100～200V通过率90％以上提升至200～500V通过率90％以上。
本发明授权一种氮化物半导体发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种氮化物半导体发光二极管，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体，量子阱和p型半导体，所述量子阱为阱层和垒层组成的周期结构，其特征在于，所述p型半导体上方设置有p型接触层，所述p型接触层具有饱和电子漂移速率分布特性、轻空穴有效质量分布特性、形变势分布特性和极化光学声子能量分布特性； 所述p型接触层的饱和电子漂移速率呈倒N型分布； 所述p型接触层的轻空穴有效质量呈N型分布； 所述p型接触层的形变势呈N型分布； 所述p型接触层的极化光学声子能量呈N型分布； 所述p型接触层的饱和电子漂移速率的谷值位置往量子阱方向的上升角度为所述p型接触层的轻空穴有效质量的峰值位置往量子阱方向的下降角度为β，所述p型接触层的形变势的峰值位置往量子阱方向的下降角度为γ，所述p型接触层的极化光学声子能量的峰值位置往量子阱方向的下降角度为θ，其中：
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