厦门乾照光电股份有限公司潘健获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门乾照光电股份有限公司申请的专利一种LED芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118712305B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410843865.8，技术领域涉及：H10H20/833；该发明授权一种LED芯片及其制作方法是由潘健;陈帅城;邬新根;刘伟;杨德佑设计研发完成，并于2024-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种LED芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：一种LED芯片及其制作方法，LED芯片具有位于衬底一侧表面的外延结构，外延结构至少包括沿第一方向依次层叠的第一型半导体层、有源层和第二型半导体层；第一方向垂直于衬底并由衬底指向外延结构；在所述第二型半导体层背离所述有源层的一侧表面依次层叠的第一透明导电层、第二透明导电层；其中，所述第二透明导电层具有图形化表面。由于设置了双层透明导电层，可以通过调整第一透明导电层和第二透明导电层的生长工艺，使得第一透明导电层具有良好的欧姆接触，第二透明导电层具有较高的透过率。并且，在第二透明导电层上具有图像化表面，可以提高光提取效率。一种LED芯片的制作方法用于制作上述LED芯片。
本发明授权一种LED芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种LED芯片，其特征在于，包括： 衬底； 位于所述衬底一侧表面的外延结构；所述外延结构至少包括沿第一方向依次层叠的第一型半导体层、有源层和第二型半导体层；所述第一方向垂直于所述衬底并由所述衬底指向所述外延结构； 在所述第二型半导体层背离所述有源层的一侧表面依次层叠的第一透明导电层、第二透明导电层；其中，所述第二透明导电层具有图形化表面； 与所述第一型半导体层电连接的第一电极； 与所述第二型半导体层电连接的第二电极； 所述第一透明导电层采用电子束蒸镀的方法制作；所述第二透明导电层采用磁控溅射的方法制作； 所述第二型半导体层具有图形化表面； 所述第一透明导电层背离所述有源层的表面为平面。
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