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龙图腾网获悉厦门大学申请的专利利用可熔融固态聚碳硅烷制备高导热氮化硅纳米粉体的装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118851107B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410900288.1，技术领域涉及：C01B21/068；该发明授权利用可熔融固态聚碳硅烷制备高导热氮化硅纳米粉体的装置及方法是由解荣军;李思维设计研发完成，并于2024-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本利用可熔融固态聚碳硅烷制备高导热氮化硅纳米粉体的装置及方法在说明书摘要公布了：利用可熔融固态聚碳硅烷制备高导热氮化硅纳米粉体的装置及方法，涉及高热导率基板。以可熔融固态聚碳硅烷为原料，将其熔融后进行高温雾化，将雾化液滴在雾化‑交联塔中进行原位化学气相交联固化，交联固化后的粉体转移至流化‑热处理炉中，利用流化床形成气固流体后进行高温氨化脱碳和热解无机化，再经过惰性气氛炉中高温晶化，获得结晶度高、纯度高、一次粒径小的Si3N4纳米粉体，该粉体烧结制备的氮化硅陶瓷具有优异的导热性能和力学性能，可用于制备新一代高功率芯片的氮化硅散热基板。

本发明授权利用可熔融固态聚碳硅烷制备高导热氮化硅纳米粉体的装置及方法在权利要求书中公布了：1.利用可熔融固态聚碳硅烷制备高导热氮化硅纳米粉体的方法，其特征在于制备装置包括将PCS雾化并交联的PCS雾化-交联塔、将PCS交联粉体转化为成氮化硅粉体的流化-热处理炉、氮化硅粉体收集器、气体回热管和尾气冷却器； 所述PCS雾化-交联塔安装在流化-热处理炉上方，PCS雾化-交联塔用于将PCS雾化并交联形成PCS交联粉体；PCS交联粉体直接掉落进流化-热处理炉中，流化-热处理炉将流化装置与热处理装置结合，用于将PCS交联粉体转化为成氮化硅粉体； 所述流化-热处理炉采用逐渐升温的三个加热炉构成流化-热处理炉的三个加热段，用于多段流化热处理；经过多段流化热处理后的最终晶态氮化硅粉体，由流化-热处理炉第三段的流出口流出至所述氮化硅粉体收集器；流化-热处理炉设有炉顶盖，三段的尾气在炉顶盖汇合； 气体回热管位于流化-热处理炉的炉顶盖内部，气体回热管用于利用尾气的热量对氨气-氮气混合气和氮气进行预热；尾气冷却器用于冷却流化-热处理炉排出的尾气，冷却后的尾气排空处理； 所述方法包括以下步骤： 1将聚碳硅烷PCS高温熔融，得到熔融态PCS； 2将熔融态PCS导入雾化-交联塔中的雾化器进行高温雾化，得到PCS雾滴； 3将雾化-交联塔加热并通入活性气体，PCS雾滴与活性气体进行原位化学气相交联固化，得到交联粉体；所述加热的温度为200～400℃；所述活性气体采用不饱和烃或卤代烃，不饱和烃选自气态环己烯、1-己烯、1-辛烯；所述卤代烃选自四氯化碳或氯苯；活性气体选择其中任一组分或两个到三个组合一起使用； 4将交联粉体置于流化床中，利用氨气-惰性气体混合气为载气形成氨气-交联粉体气固流体；将该气固流体在流化-热处理炉中进行高温氨化，交联粉体与氨气发生脱碳氨化反应，转化为硅氮烷纳米粉体，形成氨气-硅氮烷气固流体； 5将氨气-硅氮烷气固流体继续在氨气-惰性气体混合气中进行高温热解，获得非晶态Si3N4纳米粉体； 6将非晶态Si3N4纳米粉体利用惰性气氛形成气固流体，进行高温晶化处理，得到高纯的晶态Si3N4纳米粉体。

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