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龙图腾网获悉广西电网有限责任公司电力科学研究院;西安交通大学申请的专利一种高灵敏度面外磁场传感器的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118859051B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410815611.5，技术领域涉及：G01R33/07；该发明授权一种高灵敏度面外磁场传感器的制造方法是由周柯;金庆忍;卢柏桦;覃思;莫枝阅;廖文涛;王志广;刘明;苏玮;韩永亮设计研发完成，并于2024-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高灵敏度面外磁场传感器的制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及传感器技术领域，特别是一种高灵敏度面外磁场传感器的制造方法及装置，其包括面外磁场传感器，所述面外磁场传感器包括基片分为基底、种子层、非磁性材料层、磁性材料层、保护层，四者从下至上依次重叠排列；所述非磁性材料层用于使相邻的磁性材料层具有强初始垂直磁各向异性。本发明的有益效果为制备方法简单、成本低，所制备的多层膜结构的界面清晰、平整且附着力好，具有良好的初始垂直磁各向异性。体积小，利于集成，降低了Z轴体积。除此之外，该面外磁场探测器还通过铁磁层采用退火的方式降低垂直磁各向异性，提升了传感器的灵敏度。

本发明授权一种高灵敏度面外磁场传感器的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种高灵敏度面外磁场传感器的制造方法，其特征在于：包括， 用丙酮、酒精和去离子水分别超声清洗基底，吹干放入烘箱烘烤； 在基底上滴加光刻胶，并通过匀胶机旋开光刻胶，再将基底放入烘箱固化光刻胶； 通过第一预定义图形的掩膜版对光刻胶层进行紫外线曝光，再通过显影液进行显影，去除多余的光刻胶，在基底上留下第一预定义图形； 在处理好的基底上依次生长种子层、非磁性材料层、磁性材料层和保护层，形成基片； 去除第一层光刻胶，并在生长有薄膜的基底上滴加光刻胶，通过匀胶机旋开光刻胶，再将基底放入烘箱固化光刻胶； 通过第二预定义图形的掩膜版对光刻胶层进行紫外线曝光，再通过显影液进行显影，去除多余的光刻胶，在基底上留下第二预定义图形； 通过磁控溅射薄膜生长技术，在处理好的基底上生长导电金属； 去除第二层光刻胶，采用退火技术降低传感器的垂直磁各向异性； 所述基片采用磁控溅射或电子束蒸镀方法，在基底上依次沉积种子层、非磁性材料层、磁性材料层、保护层，得到多层膜结构，并采用光刻和剥离工艺，将得到的多层膜结构加工成Hallbar结构的面外磁场探测器。

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