长鑫存储技术有限公司李泽伦获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118866879B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310437144.2，技术领域涉及：H01L23/60；该发明授权一种半导体结构及其制造方法是由李泽伦;顾婷婷;刘晓阳;徐汉东设计研发完成，并于2023-04-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体领域，提供了一种半导体结构及其制造方法。其中，半导体结构包括衬底、栅极结构、沟道区、隔离结构和电荷导出结构。其中，栅极结构位于衬底上，且沿第一方向延伸；第一方向与竖直方向垂直；沟道区垂直于第一方向环绕栅极结构的侧壁；部分隔离结构位于沟道区和衬底之间；电荷导出结构的一侧与沟道区接触，电荷导出结构的另一侧至少部分接触隔离结构，且电荷导出结构接地。
本发明授权一种半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 栅极结构，位于所述衬底上，且沿第一方向延伸；所述第一方向与竖直方向垂直； 沟道区，垂直于所述第一方向环绕所述栅极结构的侧壁； 位于所述衬底上且与所述衬底接触的隔离结构，部分所述隔离结构位于所述沟道区和所述衬底之间； 电荷导出结构，所述电荷导出结构的一侧与所述沟道区接触，所述电荷导出结构位于所述沟道区的底部，所述电荷导出结构的材料与所述沟道区的材料为相同材质；其中，所述电荷导出结构的另一侧至少部分接触所述隔离结构；所述电荷导出结构接地。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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