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龙图腾网获悉上海罗菱工业技术有限公司申请的专利一种精密半导体掩膜材料的轧制方法和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118904911B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411404742.0，技术领域涉及：B21B13/14；该发明授权一种精密半导体掩膜材料的轧制方法和装置是由刘胜兰;汤小庆;吕强;谢宗全设计研发完成，并于2024-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种精密半导体掩膜材料的轧制方法和装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种精密半导体掩膜材料的轧制方法和装置，涉及半导体掩膜材料轧制技术领域，用于对原料为半导体掩膜材料的精密带材进行轧制，其包括以下步骤：1、编制轧制工艺；2、进行辊系直径配置；3、配置辊型；4、预设定轧制位置；5、设定轧制厚度、张力以及轧制油冷却量；6、按前5步所设定的参数完成轧制，以获得成品。轧制装置采用精密二十辊轧机，本发明实现了原料宽度为625mm时的半导体掩膜材料的轧制，且具有轧制过程稳定、板型良好、达到产品生产稳定的效果。

本发明授权一种精密半导体掩膜材料的轧制方法和装置在权利要求书中公布了：1.一种精密半导体掩膜材料的轧制装置，其特征在于，用于对原料为半导体掩膜材料的精密带材进行轧制，所述轧制装置采用精密二十辊轧机，所述精密二十辊轧机包括第一中间辊1、第二中间辊、径向调整机构以及喷油机构，其中： 所述精密二十辊轧机对应的相关辊系直径配置范围为：工作辊2：41.23mm～76.05mm；第一中间辊1：68.10mm～82.06mm；驱动辊：120.50mm～134.50mm；背撑轴承：225mm； 所述第一中间辊1的辊型为锥型，第二中间辊的辊型为平辊；所述径向调整机构的凸度值随着精密带材的宽度减小而增大； 所述精密二十辊轧机进行轧制时的压下量分配为：第一道次压下量分配为15.6％～17％，除第一道次以外的其他道次压下量分配为10％～13.2％，且每道次递减；各道次的单位张力为12.55～25.38kgmm2，且按照压下量逐渐递增； 第一中间辊的有效平坦度的计算方式为：F＝W-2D， 其中F：有效平坦度；W：原料宽度；D：锥深； 所述第一中间辊1的有效平坦度预设定为85％的材料宽度； 原料宽度为625mm，所述第一中间辊1的锥长为85mm，第一中间辊1的锥度为0.15％；按照有效平坦度为85％的材料宽度来计算，其中第一中间辊1上有效平坦度取531mm，第一中间辊1前后锥深取46.8mm；所述喷油机构用于在轧制过程中对精密带材进行喷淋；在设定各道次起步轧制时，所述喷油机构轧制油流量为最大流量的60％～85％；以及在设定各道次稳定轧制时，所述喷油机构轧制油流量为最大流量的90％～95％。

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