安徽格恩半导体有限公司郑锦坚获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种半导体发光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118969925B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411046954.6，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权一种半导体发光元件是由郑锦坚;邓和清;蓝家彬;寻飞林;李晓琴;蔡鑫;陈婉君;刘紫涵;李水清设计研发完成，并于2024-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体发光元件在说明书摘要公布了：本发明提出了一种半导体发光元件，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体、有源层和p型半导体，所述n型半导体与有源层之间设置有效率衰减抑制层。本发明在半导体发光元件的n型半导体与有源层之间设置效率衰减抑制层，并通过调控该效率衰减抑制层的辐射复合系数的界面变化角度和界面均匀性，调控载流子在缺陷能级中停留的平均时间，抑制界面缺陷能级俘获电子或空穴，降低SRH非辐射复合，从而改善大电流注入下的辐射复合效率，降低大电流注入条件下的效率衰减。
本发明授权一种半导体发光元件在权利要求书中公布了：1.一种半导体发光元件，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体、有源层和p型半导体，其特征在于，所述n型半导体与有源层之间设置有效率衰减抑制层，所述效率衰减抑制层包括从下至上依次设置的第一子效率衰减抑制层、第二子效率衰减抑制层和第三子效率衰减抑制层，所述第一子效率衰减抑制层、第二子效率衰减抑制层和第三子效率衰减抑制层中均具有辐射复合系数特性，且所述第一子效率衰减抑制层的辐射复合系数的谷值位置往有源层方向的上升角度为α，所述第二子效率衰减抑制层的辐射复合系数的峰值位置往有源层方向的下降角度为β，所述第三子效率衰减抑制层的辐射复合系数的峰值位置往有源层方向的下降角度为γ，所述第二子效率衰减抑制层的辐射复合系数的峰值位置往n型半导体方向的下降角度为θ，所述第三子效率衰减抑制层的辐射复合系数的峰值位置往n型半导体方向的下降角度为δ，其中：10°≤α≤β≤γ≤θ≤δ≤90°。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人安徽格恩半导体有限公司，其通讯地址为：237161 安徽省六安市金安区巢湖路288号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励