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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种镧掺杂的氧化物半导体晶体管的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119008704B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411103979.5，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权一种镧掺杂的氧化物半导体晶体管的制备方法是由吴燕庆;胡倩澜;曾敏;黄如设计研发完成，并于2024-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种镧掺杂的氧化物半导体晶体管的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种镧掺杂的氧化物半导体晶体管的制备方法，属于氧化物半导体技术领域。本发明氧化物半导体场效应晶体管的沟道层为镧元素掺杂的氧化铟薄膜，该沟道层采用原子层沉积ALD方法，原子层沉积温度控制在100℃～400℃范围内，每进行n次In原子层沉积循环插入1次La原子层沉积，重复x次得到镧掺杂的氧化铟薄膜。采用本发明制备氧化物半导体场效应晶体管，可以提高晶体管阈值电压和器件的稳定性，进一步可以用于高性能动态存储器、显示薄膜晶体管、柔性电路和后道兼容逻辑电路等领域。

本发明授权一种镧掺杂的氧化物半导体晶体管的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，该氧化物半导体场效应晶体管包括衬底、栅电极、栅电极介质、沟道层和源漏电极，其特征在于，沟道层为镧元素掺杂的氧化铟薄膜，该沟道层采用原子层沉积ALD方法，原子层沉积温度控制在100℃～400℃范围内，每进行n次In原子层沉积循环插入1次La原子层沉积，重复x次得到镧掺杂的氧化铟薄膜，具体步骤包括： 1将衬底置于原子层沉积腔体中，通过电磁阀控制通入腔体内的铟源含量，电磁阀开关时间t1范围为0.01～10s，然后通过氮气或氩气进行吹扫，吹扫时间t2通过电磁阀控制，相应的t2时间范围为1～100s； 2通过电磁阀开关时间t3通入腔体内的氧源含量，相应的t3范围为0.01～50s，然后通过氮气或氩气进行吹扫，吹扫时间t4通过电磁阀控制，相应的t4时间范围为1～100s； 3重复步骤1和步骤2n次后，得到In原子层沉积； 4再次将沉积衬底置于原子层沉积腔体中，通过电磁阀开关时间t5精确控制通入腔体内的镧源含量，相应的t5范围为0.01～10s，然后通过氮气或氩气进行吹扫，吹扫时间t6通过电磁阀控制，相应的t6时间范围为1～100s； 5通过电磁阀开关时间t7精确控制通入腔体内的氧源含量，相应的t7范围为0.01～50s，然后通过氮气或氩气进行吹扫，吹扫时间t8通过电磁阀控制，相应的t8时间范围为1～100s；得到1次La原子层沉积； 6重复步骤1—步骤5x次，得到镧掺杂的氧化铟薄膜。

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