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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种Micro-LED芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119008795B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411175013.2，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种Micro-LED芯片及其制备方法是由汪恒青;张星星;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2024-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Micro-LED芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种Micro‑LED芯片及其制备方法，该方法包括：提供一外延片；在P型半导体层上制作透明导电层；将制作透明导电层后的外延片放置于退火设备中进行退火处理；对P型半导体层与多量子阱层进行刻蚀，暴露出N型半导体层的表面以形成MESA台面；在MESA台面与透明导电层上分别制作N型电极层与P型电极层；在N型电极层与P型电极层上制作保护层；对保护层、N型电极层与P型电极层进行研磨抛光，使外延片的厚度自一初始厚度改变至一目标厚度；在保护层上制作与N型电极层连接的N型焊盘层，以及与P型电极层连接的P型焊盘层。本发明旨在解决现有技术中Micro‑LED芯片基本只能依靠金属键合，而焊盘表面的不平整会导致键合时良率不高的技术问题。

本发明授权一种Micro-LED芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Micro-LED芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 提供一外延片，所述外延片包括衬底以及外延层，所述外延层包括N型半导体层、多量子阱层与P型半导体层； 对所述外延层进行刻蚀，暴露出所述衬底的表面以形成隔离槽； 在所述P型半导体层远离多量子阱层的表面制作透明导电层； 将制作所述透明导电层后的外延片放置于退火设备中进行退火处理； 对所述P型半导体层与所述多量子阱层进行刻蚀，暴露出所述N型半导体层的表面以形成MESA台面； 在所述MESA台面与所述透明导电层上分别制作N型电极层与P型电极层； 在所述N型电极层与所述P型电极层上制作保护层，以使所述保护层将所述N型电极层与所述P型电极层覆盖； 对所述保护层、所述N型电极层与所述P型电极层进行研磨抛光，使外延片的厚度自一初始厚度改变至一目标厚度； 在所述保护层上制作与所述N型电极层连接的N型焊盘层，以及与所述P型电极层连接的P型焊盘层。

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