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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种T型凹槽阳极GaN MIS温度传感器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119063857B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411160335.X，技术领域涉及：G01K7/01；该发明授权一种T型凹槽阳极GaN MIS温度传感器及制备方法是由袁嵩;邓超凡;江希;严兆恒;赵云宣;董浩;弓小武设计研发完成，并于2024-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种T型凹槽阳极GaN MIS温度传感器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种T型凹槽阳极GaNMIS温度传感器及制备方法，传感器包括：衬底层；依次设置于衬底层上的成核层、缓冲层、沟道层和势垒层；圆环形P型GaN层位于势垒层的中间区域上；阳极凹槽位于圆环形P型GaN层的圆环里，并贯穿势垒层直至沟道层内；圆环形阴极凹槽，环绕圆环形P型GaN层且与圆环形P型GaN层间隔一定距离，并贯穿势垒层直至沟道层内；第一绝缘层位于势垒层上、圆环形P型GaN层上，以及阳极凹槽的底部和侧壁上；MIS接触的T型凹槽阳极，位于阳极凹槽内及圆环形P型GaN层上方的第一绝缘层上；圆环形阴极位于圆环形阴极凹槽内及圆环形阴极凹槽周围的第一绝缘层上。本发明具有较高的温度灵敏度、可靠性。

本发明授权一种T型凹槽阳极GaN MIS温度传感器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种T型凹槽阳极GaNMIS温度传感器，其特征在于，所述GaNMIS温度传感器包括： 衬底层；依次设置于衬底层上的AlN成核层、AlGaN缓冲层、GaN沟道层和AlGaN势垒层； 圆环形P型GaN层，位于所述AlGaN势垒层的中间区域上； 阳极凹槽，位于所述圆环形P型GaN层的圆环里，并贯穿所述AlGaN势垒层直至所述GaN沟道层内；其中，所述阳极凹槽的深度为圆环形P型GaN层、AlGaN势垒层和部分GaN沟道层的厚度； 圆环形阴极凹槽，环绕所述圆环形P型GaN层且与所述圆环形P型GaN层间隔一定距离，并贯穿所述AlGaN势垒层直至所述GaN沟道层内； 第一绝缘层，位于AlGaN势垒层上、圆环形P型GaN层上，以及阳极凹槽的底部和侧壁上；其中，所述第一绝缘层为厚度小于10nm的绝缘层； MIS接触的T型凹槽阳极，位于所述阳极凹槽内的第一绝缘层上及圆环形P型GaN层上方的第一绝缘层上； 圆环形阴极，位于所述圆环形阴极凹槽内及圆环形阴极凹槽周围的第一绝缘层上； 其中，在所述MIS接触的T型凹槽阳极下方引入了所述第一绝缘层，所述第一绝缘层钝化了所述阳极凹槽的界面态缺陷，减少了界面态相关的正向漏电，同时所述阳极凹槽减少了外延结构纵向位错的正向漏电，使得GaNMIS温度传感器的正向导通具有热电子发射与直接隧穿两种机制，由于热电子发射与直接隧穿模型在测温电流下导通压降随温度变化都是线性的，线性度接近理想值，从而保证GaNMIS温度传感器在正向导通情况下降低了反向漏电流，温度灵敏度随反向漏电流减小而提升，可靠性随反向漏电流减小而提高。

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