中国计量大学李九生获国家专利权
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龙图腾网获悉中国计量大学申请的专利缺陷光栅超表面的免磁太赫兹隔离器及控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119065040B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411417715.7，技术领域涉及：G02B5/18；该发明授权缺陷光栅超表面的免磁太赫兹隔离器及控制方法是由李九生;刘亚丽;郭风雷设计研发完成，并于2024-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本缺陷光栅超表面的免磁太赫兹隔离器及控制方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种缺陷光栅超表面的免磁太赫兹隔离器及控制方法，属于太赫兹器件领域。该太赫兹隔离器由若干单元结构周期拼接而成，该单元结构包括二氧化硅衬底和含缺陷光栅的硅超表面。本发明利用材料的非线性与超表面结构的不对称性相结合，通过改变结构参数来调节非互易强度，实现对太赫兹波的非互易传输调控。本发明设计的免磁太赫兹隔离器件结构简单，操作功率低，无需外加外部磁场偏置，可用于未来太赫兹集成系统中。
本发明授权缺陷光栅超表面的免磁太赫兹隔离器及控制方法在权利要求书中公布了：1.一种缺陷光栅超表面的免磁太赫兹隔离器，其特征在于，由若干缺陷光栅超表面单元结构周期排布拼接而成；所述缺陷光栅超表面单元结构包括衬底3和基光栅，所述基光栅由光栅底层4以及平行布置于光栅底层4上的第一光栅5和第二光栅6组成，所述光栅底层4为贴合于衬底3上的层体，且第二光栅6上靠近第一光栅5侧的顶角处通长设有缺陷7，第一光栅5的横截面形状为矩形，第二光栅6的横截面形状为直角台阶形；第一光栅5的宽度与第二光栅6的最大宽度相同，第一光栅5的厚度与第二光栅6的最大厚度相同；该免磁太赫兹隔离器以衬底3与空气的接触面为第一端口1，以基光栅与空气的接触面为第二端口2。
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