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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种III族氮化物半导体发光元件的外延结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119092611B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411004046.0，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权一种III族氮化物半导体发光元件的外延结构是由邓和清;郑锦坚;张江勇;阚宏柱;李水清;寻飞林;李晓琴;蓝家彬;蔡鑫;陈婉君;胡志勇设计研发完成，并于2024-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种III族氮化物半导体发光元件的外延结构在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体光电器件技术领域，具体公开了一种III族氮化物半导体发光元件的外延结构。该III族氮化物半导体发光元件的外延结构，从下至上依次包括衬底，n型半导体，量子阱，p型半导体，p型半导体上方具有高电子迁移率接触层；高电子迁移率接触层的峰值电子漂移速率峰值位置往量子阱方向的下降角度为φ，高电子迁移率接触层的峰值速率电场的谷值位置往量子阱方向的上升角度为β，高电子迁移率接触层的空穴迁移率的谷值位置往量子阱方向的上升角度为γ，高电子迁移率接触层的纵向声速的谷值位置往量子阱方向的上升角度为θ；该III族氮化物半导体发光元件的外延结构，可以提升空穴迁移效率和注入效率，降低老化条件下的电压变化幅度。

本发明授权一种III族氮化物半导体发光元件的外延结构在权利要求书中公布了：1.一种III族氮化物半导体发光元件的外延结构，从下至上依次包括衬底，n型半导体，量子阱，p型半导体，其特征在于，所述p型半导体上方具有高电子迁移率接触层；所述高电子迁移率接触层的峰值电子漂移速率峰值位置往量子阱方向的下降角度为φ，高电子迁移率接触层的峰值速率电场的谷值位置往量子阱方向的上升角度为β，高电子迁移率接触层的空穴迁移率的谷值位置往量子阱方向的上升角度为γ，高电子迁移率接触层的纵向声速的谷值位置往量子阱方向的上升角度为θ，其中：3°≤θ≤30°≤φ≤45°≤β≤60°≤γ≤87°，所述角度为沿曲线的切线倾斜角；所述p型半导体的峰值电子漂移速率≤高电子迁移率接触层的峰值电子漂移速率≤量子阱的阱层的峰值电子漂移速率；所述量子阱的阱层的共价键能量≤高电子迁移率接触层的共价键能量≤p型半导体的共价键能量；所述量子阱的阱层的纵向声速≤高电子迁移率接触层的纵向声速≤p型半导体的纵向声速。

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