厦门乾照光电股份有限公司潘健获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门乾照光电股份有限公司申请的专利一种LED芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119092614B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411369990.6，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权一种LED芯片及其制作方法是由潘健;杨真钰;舒展;杨德佑;陈帅城;叶玲娜设计研发完成，并于2024-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种LED芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：一种LED芯片及其制作方法，LED芯片的第二型半导体层包括正对第二电极的第一区域和剩余的第二区域；电流阻挡保护层组包括阻挡层和保护层；阻挡层位于第一区域；保护层至少覆盖第二区域，并导通透明导电层和第二型半导体层；透明导电层仅层叠于第二区域的保护层上，第二电极通过透明导电层和或保护层与第二型半导体层导通。电流阻挡保护层组，将第二型半导体层全部覆盖，避免制作透明导电层时等离子体轰击到第二型半导体层产生缺陷。电流阻挡保护层组通过分区域设置阻挡层和保护层使得电流阻挡保护层组既能保护第二型半导体层，又能阻挡电流。
本发明授权一种LED芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种LED芯片，其特征在于，包括： 衬底； 设于所述衬底一侧表面的外延结构；所述外延结构包括沿背离所述衬底的方向依次设置的第一型半导体层、有源层、第二型半导体层、电流阻挡保护层组和透明导电层； 与所述第一型半导体层电连接的第一电极； 与所述第二型半导体层电连接的第二电极； 所述第二型半导体层包括正对所述第二电极的第一区域和剩余的第二区域；所述电流阻挡保护层组包括阻挡层和保护层；所述阻挡层位于所述第一区域；所述保护层至少覆盖所述第二区域，并导通所述透明导电层和所述第二型半导体层；所述保护层采用原子层沉积ALD的方法沉积； 所述透明导电层仅层叠于所述第二区域的保护层上，所述第二电极通过所述透明导电层和或所述保护层与所述第二型半导体层导通。
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