西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学冯欣获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学申请的专利一种热电制冷增强散热的氮化镓器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119110664B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410996353.5，技术领域涉及：H10N10/852；该发明授权一种热电制冷增强散热的氮化镓器件及制备方法是由冯欣;周佳俊;张苇杭;吴银河;董鹏飞;周弘;刘志宏;张进成;郝跃设计研发完成，并于2024-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种热电制冷增强散热的氮化镓器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种热电制冷增强散热的GaN器件，主要解决现有GaN器件在高功率下由自热和热积累效应引起输出功率密度指标急剧恶化的问题。其自下而上包括热沉层、传热界面层、衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层和金属电极，该传热界面层与衬底间设有多个依次排列的热电制冷模块，每个热电制冷模块包括一个相互对应的N型热电材料层和一个P型热电材料层，且其上下表面分别设有串联图形化的上金属电极层和下金属电极层，其外围包裹有绝缘支撑材料；该衬底的下表面设有衬底绝缘层，以实现对衬底与热电制冷模块的电气隔离。本发明能降低器件热阻，增强从器件衬底到热沉的热传导，提升器件的散热能力，可用于GaN微波功率器件和电力电子器件。
本发明授权一种热电制冷增强散热的氮化镓器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种热电制冷增强散热的GaN器件，自下而上包括:热沉层1、传热界面层2、衬底4、成核层5、缓冲层6、沟道层7、势垒层8和金属电极，其特征在于： 所述传热界面层2与衬底4间设有多个依次排列的热电制冷模块3，每个热电制冷模块包括一个相互对应的N型热电材料层和一个P型热电材料层，且其上下表面分别设有串联图形化的上金属电极层31和下金属电极层32，用于将N型热电材料层与P型热电材料层进行串联并施加电压；其外围包裹有绝缘支撑材料33，以支撑下金属电极层32的沉积和图形化，并实现相邻热电制冷模块3之间的电气隔离； 所述衬底4的下表面设有衬底绝缘层41，用于实现衬底4与热电制冷模块3的电气隔离。
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