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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利减小肖特基槽底台阶高度的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119132948B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411158240.4，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权减小肖特基槽底台阶高度的方法是由尹振忠;高斌;田磊;霍武英设计研发完成，并于2024-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本减小肖特基槽底台阶高度的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种减小肖特基槽底台阶高度的方法，提供衬底，衬底上形成有N型外延层，N型外延层中形成有多个第一沟槽栅，形成刻蚀停止层以覆盖N型外延层和第一沟槽栅，形成覆盖刻蚀停止层的层间介质层；在层间介质层中形成作为肖特基结窗口的沟槽，包括如下分步骤：光刻定义出肖特基沟槽形成区域；进行第一次干法刻蚀形成第一开口；进行湿法刻蚀用以将第一开口的底部表面之下保留的层间介质层全部去除至刻蚀停止层上；进行第二次干法刻蚀，打开裸露的刻蚀停止层，形成第二开口作为肖特基沟槽，使露出的肖特基沟槽的顶部较为平坦化。本发明底切凹口位置的肖特基势垒金属层成形较为平坦，最终形貌有显著改善。

本发明授权减小肖特基槽底台阶高度的方法在权利要求书中公布了：1.一种减小肖特基槽底台阶高度的方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有N型外延层，所述N型外延层中形成有多个第一沟槽栅，形成刻蚀停止层以覆盖所述N型外延层和所述第一沟槽栅，形成覆盖所述刻蚀停止层的层间介质层； 步骤二、在所述层间介质层中形成作为肖特基结窗口的沟槽，包括如下分步骤： 步骤21、光刻定义出肖特基沟槽形成区域； 步骤22、进行第一次干法刻蚀，所述第一次干法刻蚀将刻蚀深度范围内的所述层间介质层去除并形成第一开口，所述第一开口的底部表面之下保留有部分厚度的所述层间介质层； 步骤23、进行湿法刻蚀用以将所述第一开口的底部表面之下保留的所述层间介质层全部去除至刻蚀停止层上； 所述湿法刻蚀的刻蚀量具有过刻蚀量，以保证将所述第一开口的底部表面之下保留的所述层间介质层全部去除； 步骤24、进行第二次干法刻蚀，打开裸露的所述刻蚀停止层，形成第二开口作为肖特基沟槽，使露出的所述肖特基沟槽的顶部平坦化，以及减小所述湿法刻蚀的过刻蚀量在所述肖特基沟槽底部边缘处形成的底切凹口，其中，所述第二次干法刻蚀利用CF4和CHF3为刻蚀气体，CF4相对于CHF3的气体比例为5：9至7：9，且所述第二次干法刻蚀的射频功率为380至420W，且只有一步刻蚀。

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