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龙图腾网获悉陕西科技大学申请的专利一种珍珠层状蒙脱土基无机绝缘薄膜的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119170361B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411248736.0，技术领域涉及：H01B19/00；该发明授权一种珍珠层状蒙脱土基无机绝缘薄膜的制备方法是由刘晓旭;孙家明;李文杰设计研发完成，并于2024-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种珍珠层状蒙脱土基无机绝缘薄膜的制备方法在说明书摘要公布了：一种珍珠层状蒙脱土基无机绝缘薄膜的制备方法，步骤1，准备如下制备原料：蒙脱土、N‑甲基‑2‑吡咯烷酮、聚乙烯吡咯烷酮、聚偏氟乙烯‑六氟丙烯；步骤2，二维纳米蒙脱土分散液的制备；步骤3，聚偏氟乙烯‑六氟丙烯的包覆；步骤4，无机绝缘薄膜的成型；步骤5，无机绝缘薄膜的干燥；步骤6，无机绝缘薄膜的热力耦合处理；该材料具有卓越的电气绝缘性能，非线性系数高达10.66，击穿场强可达224.3kVmm，且在80kVmm的高电场下，耐电晕时间长达1287.6min。通过调整聚偏氟乙烯‑六氟丙烯的含量，可灵活调节材料的电导率和非线性系数，使其适应多样化的应用需求。

本发明授权一种珍珠层状蒙脱土基无机绝缘薄膜的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种珍珠层状蒙脱土基无机绝缘薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1，准备如下制备原料：蒙脱土、N-甲基-2-吡咯烷酮、聚乙烯吡咯烷酮、聚偏氟乙烯-六氟丙烯； 所述步骤1，蒙脱土为未经剥离的钠基蒙脱土原料； 步骤2，二维纳米蒙脱土分散液的制备； 所述步骤2，二维纳米蒙脱土分散液是通过化学-机械剥离法制备得到，具体步骤为： 将1.5-2.5g蒙脱土原料溶于300-500mL的N-甲基-2-吡咯烷酮溶液中磁力搅拌10-20min，得到蒙脱土分散液，然后缓慢加入18-30g聚乙烯吡咯烷酮，继续搅拌12-20h，然后静置48-72h，取上清液，得到二维纳米蒙脱土分散液； 步骤3，聚偏氟乙烯-六氟丙烯的包覆；所述的步骤3，聚偏氟乙烯-六氟丙烯的包覆是在二维纳米蒙脱土分散液中加入纳米蒙脱土质量1%-5%的聚偏氟乙烯-六氟丙烯，然后超声处理30-40min，继续搅拌1-2h，得到聚偏氟乙烯-六氟丙烯包覆的二维纳米蒙脱土分散液； 步骤4，无机绝缘薄膜的成型； 所述的步骤4，无机绝缘薄膜的成型是采用真空抽滤装置对聚偏氟乙烯-六氟丙烯包覆的二维纳米蒙脱土分散液进行抽滤，利用液体的定向流速作用，对纳米片进行取向，使其平行的排列在平均孔径为220μm的滤纸上，得到湿润的无机绝缘薄膜； 步骤5，无机绝缘薄膜的干燥； 步骤6，无机绝缘薄膜的热力耦合处理； 无机绝缘薄膜的非线性系数为10.66，击穿场强最高为224.3kVmm，在80kVmm的场强下耐电晕时间为1287.6min； 所述的步骤6，无机绝缘薄膜的热力耦合处理是将步骤5干燥后的薄膜置于热压机上，在温度为180-200℃，压力为18-20Mpa条件下，热压30-50min，最终得到具有珍珠层状结构的蒙脱土无机绝缘薄膜。

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