买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉苏州固锝电子股份有限公司申请的专利MOS场效应管双网印工艺结构及双网印制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119170509B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411125655.1，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权MOS场效应管双网印工艺结构及双网印制备方法是由朱磊;王丽丹;郝艳霞;孙爱萍设计研发完成，并于2024-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本MOS场效应管双网印工艺结构及双网印制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了MOS场效应管双网印工艺结构及双网印制备方法，所述制备方法包括产品结构设计、网印工具设计、下层网印作业、放置晶粒、上层网印作业、放置连接件；所述场效应管双网印工艺结构采用上述双网印制备方法制得。本发明通过以上产品结构设计、网印工具设计及双网印制备方法的实施使得MOS场效应管芯片的上下焊接都采用网印的工艺路线，可有效的减少了焊接所产生的空洞问题，即可控制在5%以内，且锡膏的位置精度可以达到±25um以内，此工艺流程还大大的提高了工作效率；相比较点胶焊锡制程生产效率提高300%以上，即大幅提升了MOS场效应管产品的生产效率和生产质量。

本发明授权MOS场效应管双网印工艺结构及双网印制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MOS场效应管双网印工艺结构的双网印制备方法，其特征在于，所述双网印制备方法包括： S100、产品结构设计，设计场效应管双网印工艺结构，场效应管双网印工艺结构包括整体框架，整体框架上阵列排布有多个网印单元，各所述网印单元上具有与整体框架一体的框架单元，在框架单元上布置下层网印区域，在框架单元上设置晶粒，在所述晶粒上布置上层网印区域，在晶粒上设置连接件； S200、网印工具设计，设计用于网印的网板，所述网板包括下层网板和上层网板，所述下层网板上具有多个阵列排布的多个对应框架单元上的下层网印区域布置的下层网孔，所述下层网孔的开孔面积为下层网印区域面积的80～100%，所述上层网板上具有多个阵列排布的对应晶粒上的上层网印区域布置的上层网孔，所述上层网孔的开孔面积为上层网印区域面积的40～60%； S300、下层网印作业，使用下层网板对整体框架上的各框架单元进行一体印刷，将下层网板放置在整体框架上方，由刮板将锡膏均匀刮涂，使锡膏填充所有的下层网孔及下层网印区域形成下层网印层，分离下层网板与整体框架进行脱模，完成下层网印作业； S400、放置晶粒，将晶粒各自放置在各对应的下层网印层上； S500、上层网印作业，使用上层网板对整体框架上的各晶粒进行一体印刷，将上层网板放置在整体框架上方，并且使上层网板与晶粒之间的镂空高度保持在0.06～0.1mm之间，由刮板将锡膏均匀刮涂，使锡膏填充所有的上层网孔及上层网印区域形成上层网印层，分离上层网板与整体框架进行脱模，完成上层网印作业； S500、放置连接件，将连接框架中的连接件各自放置在各对应的上层网印层上。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州固锝电子股份有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市通安开发区通锡路31号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。