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龙图腾网获悉中国科学院上海技术物理研究所申请的专利一种负电容隧穿光电晶体管及其制备方法方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119208379B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411343294.8，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种负电容隧穿光电晶体管及其制备方法方法和应用是由王旭东;颜浩然;陈艳;伍帅琴;沈宏;林铁;孟祥建;王建禄;褚君浩设计研发完成，并于2024-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种负电容隧穿光电晶体管及其制备方法方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及光电器件技术领域，尤其涉及一种负电容隧穿光电晶体管及其制备方法和应用。本发明所述负电容隧穿光电晶体管是一种铁电材料与低维半导体异质结材料相结合的结构，其将铁电材料特性与低维半导体异质结的隧道效应与光电特性相结合，利用氧化铪基铁电栅电介质代替传统光电晶体管栅极电介质层，在负电容隧穿光电晶体管栅结构中提供负电容效应，以提高器件性能；通过铁电材料的负电容效应增强隧穿场效应晶体管的电学性能，提升器件的开关比与开态电流，并进一步降低器件的亚阈值摆幅，同时提升器件光电响应度和响应速度。栅极与低维半导体异质结的设置实现了超低亚阈值摆幅且无回滞的目的。此外其还具备稳定性好、结构简单和容易制备等特点。

本发明授权一种负电容隧穿光电晶体管及其制备方法方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种负电容隧穿光电晶体管，其特征在于，包括依次层叠设置的衬底、氧化物层、栅电极层、具有负电容效应的氧化铪基铁电栅电介质层、氧化物栅电介质层和低维半导体材料异质结层； 所述低维半导体材料异质结层包括第一低维半导体材料和第二低维半导体材料；部分所述第一低维半导体材料嵌于所述第二低维半导体材料中，且所述第一低维半导体材料的下表面和第二低维半导体材料的下表面水平高度相同；所述第一低维半导体材料为硫化铼；所述第二低维半导体材料为二维黑鳞材料；所述第一低维半导体材料和第二低维半导体材料之间形成断隙式异质结； 所述氧化物栅电介质层的表面依次分为第一表面、第二表面、第三表面和第四表面，所述第一表面和第四表面位于所述氧化物栅电介质层的表面的外侧； 所述第一低维半导体材料的下表面与所述第二表面接触，所述第二低维半导体材料的下表面与所述第三表面接触； 还包括金属源电极和金属漏电极；所述第二低维半导体材料嵌于所述金属源电极中形成欧姆接触，且所述第二低维半导体材料的下表面和所述金属源电极的下表面的水平高度相同，所述金属源电极的下表面与所述第四表面接触； 所述第一低维半导体材料嵌于所述金属漏电极中形成欧姆接触，且所述第一低维半导体材料的下表面和所述金属漏电极的下表面的水平高度相同，所述金属漏电极的下表面与所述第一表面接触。

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