中芯国际集成电路制造(上海)有限公司金吉松获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119230543B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310800199.5，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权半导体结构及其形成方法是由金吉松设计研发完成，并于2023-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底，包括相邻设置的电容区和晶体管区；第三电极层，位于晶体管区的基底上；第一介质层，位于第三电极层上；沟道层，位于第三电极层上的第一介质层上；自下而上交替堆叠的第一电极层和第二电极层，位于电容区的基底上，任一第二电极层延伸至晶体管区中并与沟道层相接触，且与第三电极层相隔离；第二介质层，位于相邻第一电极层和第二电极层之间；第四电极层，位于晶体管区中，第四电极层与沟道层相接触，且与第二电极层相隔离；第一电连接结构，位于晶体管区中，并与第四电极层电连接；第二电连接结构，位于电容区中，并与第一电极层电连接。本发明实现开关电容电路作为供电稳压电路的功能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，包括相邻设置的电容区和晶体管区； 第三电极层，位于所述晶体管区的基底上； 第一介质层，位于所述第三电极层上； 沟道层，位于所述第三电极层上的第一介质层上； 自下而上交替堆叠的第一电极层和第二电极层，位于所述电容区的基底上，任一所述第二电极层延伸至所述晶体管区中并与所述沟道层相接触，且与所述第三电极层相隔离； 第二介质层，位于相邻第一电极层和第二电极层之间； 第四电极层，位于所述晶体管区中，所述第四电极层与所述沟道层相接触，且与所述第二电极层相隔离； 第一电连接结构，位于所述晶体管区中，并与所述第四电极层电连接； 第二电连接结构，位于所述电容区中，并与所述第一电极层电连接。
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