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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利监测光刻机焦距的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119247693B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411547769.5，技术领域涉及：G03F7/00；该发明授权监测光刻机焦距的方法是由周侃;赵弘文设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本监测光刻机焦距的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种监测光刻机焦距的方法，包括：步骤一、进行曝光在参考晶圆上形成包括多个第一光阻图形的第一光阻图形组，各第一光阻图形的关键尺寸的设计值和曝光能量分别相同，曝光焦距依次变化。步骤二、采用CDSEM进行带第一角度的电子束扫描对各第一光阻图形进行成像并测量侧面宽度，之后建立第一光阻图形的侧面宽度和曝光焦距之间的第一关系式。步骤三、采用光刻机对在线的第二晶圆进行曝光并形成第二光阻图形。步骤四、采用CDSEM进行带第一角度的电子束扫描对至少一个第二光阻图形进行成像并测量侧面宽度。根据第二光阻图形的侧面宽度和第一关系式得到光刻机的实际曝光焦距。本发明能及时监控光刻机焦距并提高测量准确性、效率和产品良率。

本发明授权监测光刻机焦距的方法在权利要求书中公布了：1.一种监测光刻机焦距的方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤一、提供一片参考晶圆，采用光刻机进行曝光在所述参考晶圆上至少形成一第一光阻图形组，所述第一光阻图形组中包括多个第一光阻图形； 各所述第一光阻图形的关键尺寸的设计值相同以及对应的曝光能量相同； 各所述第一光阻图形的曝光焦距依次变化，且一个所述第一光阻图形和一个所述曝光焦距相对应； 步骤二、采用CDSEM进行带第一角度的电子束扫描对各所述第一光阻图形进行成像并测量各所述第一光阻图形的侧面宽度，之后建立所述第一光阻图形的侧面宽度和所述曝光焦距之间的第一关系式； 带所述第一角度的所述电子束扫描能使CDSEM成像的图形中所述第一光阻图形的一个侧面尺寸得到一定比例的放大，能提高所述第一光阻图形的侧面宽度的测量精度； 步骤三、采用所述光刻机对在线的第二晶圆进行曝光并形成至少一个第二光阻图形； 步骤四、采用CDSEM进行带所述第一角度的电子束扫描对至少一个所述第二光阻图形进行成像并测量所述第二光阻图形的侧面宽度； 根据所述第二光阻图形的侧面宽度和所述第一关系式得到所述光刻机在进行在线曝光时的实际曝光焦距。

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