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龙图腾网获悉昆明物理研究所申请的专利一种碲镉汞p-on-n结构材料p型层厚度的测量方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119252747B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411263134.2，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种碲镉汞p-on-n结构材料p型层厚度的测量方法及应用是由起文斌;宋林伟;孔金丞;王文金;邓文斌;宁卓;杨晋;张阳;黄元晋;李达设计研发完成，并于2024-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碲镉汞p-on-n结构材料p型层厚度的测量方法及应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种碲镉汞p‑on‑n结构材料p型层厚度的测量方法及应用，该方法通过测量不同厚度下碲镉汞p‑on‑n结构材料的载流子浓度和迁移率，确定载流子浓度和迁移率随厚度的变化曲线，基于变化曲线上载流子浓度和迁移率趋于稳定的拐点精准确定p型层的厚度。该方法操作简单，准确性高，可为后端的器件工艺参数设计提供参考，支撑高性能p‑on‑n结构红外探测器的批量生产。该方法同时可为碲镉汞p‑on‑n结构材料制备工艺参数的调整提供参考，为材料质量的优化提供保障。

本发明授权一种碲镉汞p-on-n结构材料p型层厚度的测量方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种碲镉汞p-on-n结构材料p型层厚度的测量方法，其特征在于，包括以下步骤： 1准备p-on-n结构碲镉汞材料以及n型陪片，对p-on-n结构碲镉汞材料以及n型陪片进行相同条件下的汞饱和退火处理，进行汞空位的消除，所述陪片与所述p-on-n结构碲镉汞材料中的n型材料采用相同的生长条件，它们的截止波长相近； 2测量p-on-n结构碲镉汞材料和n型陪片的原始厚度，分别记为h0、ha； 3清洁材料表面并去除氧化层，测量p-on-n结构碲镉汞材料和n型陪片的载流子浓度、迁移率，分别记为N0、μ0以及Na、μa； 4采用化学腐蚀液腐蚀p-on-n结构碲镉汞材料，去除厚度为h； 5测量剩余材料的厚度，记为h1，并再次测试剩余材料的载流子浓度和迁移率，分别记为N1、μ1； 6不断重复步骤4和步骤5得到多次腐蚀后p-on-n结构碲镉汞材料的多个剩余厚度h2、h3、…、hi，以及多个载流子浓度N2、N3、…、Ni和多个迁移率μ2、μ3、…、μi，其中表示腐蚀的次数，i≥2； 7绘制Ni和μi随腐蚀次数i的变化曲线，在曲线上确定Ni和μi都趋于稳定的拐点，同时该拐点位置的载流子浓度和迁移率同n型陪片的载流子浓度Na和迁移率μa相近，记录拐点的腐蚀次数为ip； 8确定p型层厚度，所述p型层的厚度hp为原始材料厚度h0与拐点厚度hip之差hp=h0-hip。

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