买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉北京量子信息科学研究院申请的专利双面硅化合物接触式掩膜板及其制备方法、利用掩膜板制备卤化物钙钛矿量子点图形的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119263195B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411236649.3，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权双面硅化合物接触式掩膜板及其制备方法、利用掩膜板制备卤化物钙钛矿量子点图形的方法是由赵振璇;张建刚;冯洋;郭明华;刘丽设计研发完成，并于2024-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本双面硅化合物接触式掩膜板及其制备方法、利用掩膜板制备卤化物钙钛矿量子点图形的方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种双面硅化合物接触式掩膜板，掩膜板以硅基板为中间层，硅基板的一面沉积第一SiO2薄膜，硅基板的另一面沉积第二SiO2薄膜，第一SiO2薄膜和第二SiO2薄膜分别刻蚀有图形，第一SiO2薄膜上的图形与卤化物钙钛矿量子点图形一致，第二SiO2薄膜的图形为卤化物钙钛矿量子点图形沿同一Z轴方向扩大一定倍数的图形。同时提供其相应制备方法和利用其制备卤化物钙钛矿量子点图形的方法。本发明利用感应耦合等离子刻蚀技术，同时借助双面硅化合物接触式掩膜板，对钙钛矿量子点薄膜进行微米级图形化，适用于全部钙钛矿薄膜材料，扩宽了制造各类功能材料的兼容性，也为钙钛矿量子点阵列器件制备提供新的图形化方案工艺策略。

本发明授权双面硅化合物接触式掩膜板及其制备方法、利用掩膜板制备卤化物钙钛矿量子点图形的方法在权利要求书中公布了：1.制备双面硅化合物接触式掩膜板的方法，其特征在于，包括以下步骤： a、硅基板上沉积第一SiO2薄膜和第二SiO2薄膜：硅基板预处理后，采用等离子化学气相沉积法分别沉积第一SiO2薄膜和第二SiO2薄膜； b、采用激光直写光刻技术进行图形制作：在第二SiO2薄膜上涂覆光刻胶，软烘，将版图导入激光直写软件中，使用激光直写曝光版图，光刻胶在曝光区域形成微纳结构，显影、后烘，在光刻胶上形成所需图形；再在第一SiO2薄膜上涂覆光刻胶，重复上述薄膜上图形制作步骤； c、采用感应耦合等离子体刻蚀技术进行薄膜图形刻蚀：将第二SiO2薄膜朝上置于感应耦合等离子体刻蚀系统的快速进样腔中，抽真空后，传输至刻蚀腔体中，进行第二SiO2薄膜图形刻蚀，取出，再将第一SiO2薄膜朝上重复上述薄膜刻蚀步骤，取出； d、采用湿法腐蚀工艺腐蚀硅基板：室温下，将步骤c刻蚀过薄膜图形的掩膜板置入腐蚀液中浸泡，直至暴露的硅基板部分去除，取出，依次置于丙酮、异丙醇中浸泡，室温晾干，得双面硅化合物接触式掩膜板。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京量子信息科学研究院，其通讯地址为：100000 北京市海淀区中关村软件园二期国际与区域协同创新中心A座, 100193；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。