北京量子信息科学研究院赵振璇获国家专利权
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龙图腾网获悉北京量子信息科学研究院申请的专利电感耦合等离子刻蚀技术制作卤化物钙钛矿阵列图形的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119263197B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411236652.5,技术领域涉及:B81C1/00;该发明授权电感耦合等离子刻蚀技术制作卤化物钙钛矿阵列图形的方法是由赵振璇;张建刚;孙伟杰;陈墨;冯雅晴设计研发完成,并于2024-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本电感耦合等离子刻蚀技术制作卤化物钙钛矿阵列图形的方法在说明书摘要公布了:本发明公开电感耦合等离子刻蚀技术制作卤化物钙钛矿阵列图形的方法,包括以下步骤:1制备卤化物钙钛矿薄膜;2离子刻蚀阵列图形:在卤化物钙钛矿薄膜上覆盖掩膜板,掩膜板所形成的图案与卤化物钙钛矿阵列图形相对应,利用电感耦合等离子刻蚀技术进行刻蚀后,取下掩膜板,形成卤化物钙钛矿薄膜阵列图形。本发明利用不锈钢掩膜板作为钙钛矿阵列图形化百微米级及以上的刻蚀掩膜工具,利用电感耦合等离子技术激发的游离态电子,氟基和氯基离子对掩膜板之外的卤化物钙钛矿薄膜材料进行两次刻蚀,实现钙钛矿薄膜图形化,未同任何溶剂接触,有效防止钙钛矿薄膜因非极性溶剂而被腐蚀,且不受钙钛矿种类制约,适用于全部种类的钙钛矿薄膜材料。
本发明授权电感耦合等离子刻蚀技术制作卤化物钙钛矿阵列图形的方法在权利要求书中公布了:1.电感耦合等离子刻蚀技术制作卤化物钙钛矿阵列图形的方法,其特征在于,包括以下步骤: 1制备卤化物钙钛矿薄膜; 2离子刻蚀阵列图形:在步骤1的卤化物钙钛矿薄膜上覆盖掩膜板,掩膜板所形成的图案与卤化物钙钛矿阵列图形相对应,利用电感耦合等离子刻蚀技术进行刻蚀后,取下掩膜板,形成卤化物钙钛矿薄膜阵列图形; 步骤2中,掩膜板包括第一掩膜板和第二掩膜板,第一掩膜板和第二掩膜板组合形成的图案与卤化物钙钛矿阵列图形相对应; 步骤2中,第一掩膜板制作成镂空栅状横向条纹掩膜板,第二掩膜板制作成镂空栅状竖向条纹掩膜板,第一掩膜板和第二掩膜板组合形成的重叠区域的图案与卤化物钙钛矿阵列图形相对应; 步骤2中,离子刻蚀采用感应耦合等离子体刻蚀系统,刻蚀方法包括以下步骤: a、先在卤化物钙钛矿薄膜上覆盖第一掩膜板,较位固定后,置于感应耦合等离子体刻蚀系统的快速进样腔,在真空环境下,将卤化物钙钛矿薄膜和第一掩膜板传输至刻蚀腔体中; b、刻蚀钙钛矿薄膜:通入气体,于上电极功率为300-800W,下电极功率为20-100W,工艺压强为1-10mTorr下,刻蚀1-20min,取出卤化物钙钛矿薄膜和第一掩膜板,卸下第一掩膜板; c、再在卤化物钙钛矿薄膜上覆盖第二掩膜板,较位固定后,置于感应耦合等离子体刻蚀系统的快速进样腔,参照步骤a和b,刻蚀钙钛矿薄膜,取出卤化物钙钛矿薄膜和第二掩膜板,卸下第二掩膜板即可。
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