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龙图腾网获悉北京量子信息科学研究院申请的专利一种利用反应离子刻蚀技术干法刻蚀实现钙钛矿薄膜图形化的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119263199B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411236656.3，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种利用反应离子刻蚀技术干法刻蚀实现钙钛矿薄膜图形化的方法是由赵振璇;高志廷;张建刚;张丽萍;王爽设计研发完成，并于2024-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种利用反应离子刻蚀技术干法刻蚀实现钙钛矿薄膜图形化的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种利用反应离子刻蚀技术干法刻蚀实现钙钛矿薄膜图形化的方法，包括以下步骤：1衬底基底清洗；2沉积钙钛矿薄膜；3钙钛矿薄膜的反应离子束刻蚀。本发明首次提出利用反应离子束工艺刻蚀钙钛矿，为钙钛矿阵列图案化方案提出了新的工艺策略；而且本发明干法刻蚀钙钛矿工艺规避了钙钛矿遇溶剂腐蚀的情况，且不受钙钛矿种类制约，适用于全部种类的钙钛矿薄膜材料；相对于以往提出的模板法制作钙钛矿图形化工艺更加简单，其次反应离子束刻蚀设备构造简单，设备廉价，兼容于所有MEMS规模制造工厂，很大程度上降低了制造成本；适用于任何基底或衬底材料，扩宽了制造各类功能材料的兼容性。

本发明授权一种利用反应离子刻蚀技术干法刻蚀实现钙钛矿薄膜图形化的方法在权利要求书中公布了：1.一种利用反应离子刻蚀技术干法刻蚀实现钙钛矿薄膜图形化的方法，其特征在于，包括以下步骤：1衬底基底清洗；2沉积钙钛矿薄膜；3钙钛矿薄膜的反应离子束刻蚀； 其中，步骤3中反应离子束刻蚀的方法为： a.首先在钙钛矿薄膜表面覆盖设计好对应图形的镂空硬掩膜板，并使用粘性树脂胶或弹簧压片固定掩膜板和钙钛矿薄膜基片； b.将表面覆盖有掩膜板的钙钛矿薄膜基片放入反应离子束的反应刻蚀腔中，反应刻蚀工艺参数：工艺气体为CF+CHF的组合混合气氛，CF流量设为30sccm,CHF流量设为10sccm,电极功率为80W，气压为3Pa，时间5-10s,在电极高能高频磁场作用下，混合工艺气体激发产生游离基体F和H，未有掩膜板遮挡的钙钛矿薄膜接触到游离基体发生腐蚀反应，生成气体，并被排除反应腔； c.反应离子束刻蚀完毕后，取出钙钛矿薄膜基片和掩膜板即可； 步骤2中，所述钙钛矿薄膜为ABX，其中A为NH、[CHNH]、[CHNH]、[NHCHNH]、[CHNH]、[CNH]、[CNH]、[CH]中一种或两种以上有机基团，或Cs、Rb、K金属离子的一种或两种以上；其中B为Pb2+、Sn2+等重金属离子的一种或两种以上；X为卤族元素:Cl、Br、I种的一种或两种以上。

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