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龙图腾网获悉西安迈驰半导体科技有限公司申请的专利一种低容高ESD防护能力保护器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119300468B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411380691.2，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种低容高ESD防护能力保护器件及其制作方法是由张关保;张彪;王康;贺健民设计研发完成，并于2024-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低容高ESD防护能力保护器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及ESD保护器件及其制作方法，具体涉及一种低容高ESD防护能力保护器件及其制作方法，包括由下至上依次相接的P型衬底、N‑外延和介质层；P型衬底上表面中部设有顶部与N‑外延相接的N+埋层；N‑外延的上表面中部设有第一P+扩区，以及由内到外依次分布的第一N+扩区组、第二P+扩区组和第二N+扩区；第一N+扩区组包括多个圆周均布的第一N+扩区；第二P+扩区组包括多个圆周均布的第二P+扩区；N‑外延上开设有深入P型衬底的环形隔离槽；第二N+扩区上开设有深入P型衬底的环形电连接层；介质层上设有阳极和阴极，阳极底部与第一P+扩区、第一N+扩区相接，阴极底部与第二N+扩区、第二P+扩区相接。本发明能够在实现超低容值的同时保障高静电防护能力。

本发明授权一种低容高ESD防护能力保护器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种低容高ESD防护能力保护器件，其特征在于：包括由下至上依次相接的P型衬底1、N-外延2和介质层3； 所述P型衬底1上表面中部设有顶部与N-外延2相接的N+埋层4； 所述N-外延2的上表面中部设有第一P+扩区5，以及由内到外依次分布的第一N+扩区组、第二P+扩区组和第二N+扩区8；第一N+扩区组包括多个圆周均布的第一N+扩区6；第二P+扩区组包括多个圆周均布的第二P+扩区7； 所述第二N+扩区8与P型衬底1和N+埋层4组成低触发NPN管；第一P+扩区5与N-外延、N+埋层4、P型衬底1组成低容值PNP管；第一N+扩区6、N-外延2与第二P+扩区7组成导向二极管； 所述N-外延2上开设有深入P型衬底1的环形隔离槽9，用于对低容值PNP管和低触发NPN管电性隔离； 所述第二N+扩区8上开设有深入P型衬底1的环形电连接层10； 所述介质层3上设有阳极11和阴极12，阳极11底部与第一P+扩区5、第一N+扩区6相接，阴极12底部与第二N+扩区8、第二P+扩区7相接。

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