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龙图腾网获悉重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所申请的专利低介质吸收低失配精密线性MIM电容器及其集成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119314975B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411431262.3，技术领域涉及：H01L23/522；该发明授权低介质吸收低失配精密线性MIM电容器及其集成方法是由殷万军;刘玉奎;杨法明;钱呈;陈姜龙;梁康弟;周辉煌;张越;黄磊;张正元设计研发完成，并于2024-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本低介质吸收低失配精密线性MIM电容器及其集成方法在说明书摘要公布了：本发明公开低介质吸收低失配精密线性MIM电容器和集成技术，集成步骤为：1形成有源区和隔离场氧区。2形成厚栅氧化层和薄栅氧化层。3淀积多晶硅层，并构造MOS管的多晶硅栅。4完成多模式栅氧高低压BiCMOSCMOS源极和漏极的光刻注入。5化学机械平坦化提高金属薄膜电阻下表面区域平整度。6金属MIM电容下电极PVD法高电阻率微晶型钛薄膜溅射。7金属MIM电容介质层PECVD氮化硅SixNyHz淀积。8金属MIM电容上电极PVD法高电阻率微晶型钛薄膜溅射。9溅射铝铜膜层并完成金属连线刻蚀加工。本发明不但优化了金属MIM电容器精密匹配问题，提高了集成电路的封装功能密度和器件密度，促进了高性能集成电路的微型化和轻型化。

本发明授权低介质吸收低失配精密线性MIM电容器及其集成方法在权利要求书中公布了：1.低介质吸收低失配精密线性MIM电容器的集成方法，其特征在于，包括以下步骤： 1在衬底表面形成阱，并在阱表面形成有源区域，在有源区以外的区域形成隔离氧化层； 2选定需要低温度系数的金属薄膜电阻区域、高压器件有源区域、中压器件有源区域和低压器件有源区域； 3分别在高压器件有源区域和中压器件有源区域形成厚栅氧化层；在低压器件有源区域形成薄栅氧化层； 4形成MOS管的多晶硅栅，并选定MOS管的掺杂源漏区； 5在MOS管的掺杂源漏区完成双栅氧高低压CMOS源极和漏极的光刻注入，快速退火工艺激活掺杂的杂质； 6淀积氮化硅层，以及BPSG低介电系数填充膜层； 7完成膜层平坦化加工，以及器件接触孔加工； 8完成器件接触孔钨塞填充加工；溅射铝硅铜膜层，记为第一层金属，并完成第一层金属连线刻蚀加工； 9根据电路设计需要，重复步骤6-步骤8，直到溅射次顶层金属，记为第n-1层金属；n≥2； 10完成氩原子溅射清洗后，溅射h1埃米钛膜层，然后淀积h2埃米无定型氮化硅SixNyHz膜层； 11完成氩原子溅射清洗后，在氮化硅膜层上溅射h3埃米微晶型钛薄膜； 12在集成磁控溅射腔室内淀积h4埃米半晶钛h5埃米氮化钛； 13采用PVD法溅射适合平坦化工艺集成的铝合金薄膜和抗反射氮化钛膜层； 14依据掩膜版图对MIM电容上极板钛氮化钛铝硅铜氮化钛完成曝光、显影、干法刻蚀，形成集成金属-氮化硅-金属电容器； 形成的集成金属-氮化硅-金属电容器介质吸收系数DA≤30ppm，二阶电压系数absQVC≤3ppmV2，线性电压系数absLVC≤1.5ppmV； 15淀积低介电系数填充膜层USG薄膜、金属间介质层CMP平坦化、通孔刻蚀、钨塞化学机械平坦化； 16溅射顶层金属，记为第n层金属，并完成第n层金属连线刻蚀加工，形成电路组成器件的金属互连； 17采用PECVD淀积钝化复合介质层淀积，并完成钝化保护层曝光、显影、刻蚀加工。

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