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龙图腾网获悉淮安捷泰新能源科技有限公司申请的专利一种太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119342936B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411891741.3，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种太阳能电池及其制备方法是由武会会;宋怡潇;邢肖肖;张凯设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种太阳能电池及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：S1对衬底硅片进行清洗和抛光；S2形成介电区和多晶硅层；S3形成第一导电类型杂质的掺杂物源层；S4不同导电类型杂质一步共掺杂；S5形成介质层；S6金属化；所述第一导电类型杂质的掺杂物源层的厚度为10nm‑100nm。本发明通过先形成第一导电类型杂质的掺杂物源层，减少了高温掺杂次数、清洗次数，降低了掺杂温度，缩短了工艺时间，简化工艺流程，降低设备投资成本，减少太阳能电池内部复合作用从而提高了光电转换效率。

本发明授权一种太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S1对衬底硅片进行清洗和抛光； S2形成介电区和多晶硅层； S3形成第一导电类型杂质的掺杂物源层； S4不同导电类型杂质一步共掺杂； S5形成介质层； S6金属化； 所述第一导电类型杂质的掺杂物源层的厚度为10nm-100nm； 所述太阳能电池包括衬底硅片，所述衬底硅片具有在正常操作期间面向太阳的正面和与所述正面相对的背面，所述衬底硅片的背面沿远离所述衬底硅片方向依次设置有所述介电区和所述多晶硅层，所述第一导电类型杂质的掺杂物源层在所述多晶硅层外侧； 所述S4不同导电类型杂质一步共掺杂的掺杂温度为600℃-800℃，掺杂时间为5min-100min； 在所述S3形成第一导电类型杂质的掺杂物源层中，采用CVD方式形成，形成温度300℃-800℃，形成原料包括硼源气体或磷源气体； 所述硼源气体为BH3、TMB、BCl3、BBr3中至少一种； 所述磷源气体为PH3、POCl3中至少一种； 所述S3形成第一导电类型杂质的掺杂物源层的步骤中，所述第一导电类型杂质的掺杂物源层为含有第一导电类型杂质的含硅化合物层，所述第一导电类型杂质为硼、镓或磷； 所述S4不同导电类型杂质一步共掺杂中，将硅片放入掺杂管进行掺杂，使用与所述第一导电类型杂质电性相反的第二导电类型杂质的掺杂源，同时形成了第一导电类型杂质区域和第二导电类型杂质区域，所述第一导电类型杂质区域与所述第二导电类型杂质区域电性相反，所述不同导电类型杂质一步共掺杂的掺杂次数至少为一次； 所述第二导电类型杂质的掺杂源为硼源气体或磷源气体，所述硼源气体为BH3、TMB、BCl3、BBr3中至少一种，所述磷源气体为PH3、POC13中至少一种。

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