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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利GaN基LED外延片及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119342951B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411407033.8，技术领域涉及：H10H20/811；该发明授权GaN基LED外延片及制备方法是由舒俊;高虹;郑文杰;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2024-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本GaN基LED外延片及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及LED外延片技术领域，公开了一种GaN基LED外延片及其制备方法，包括：衬底、缓冲层、N型半导体层、应力释放层、多量子阱发光层、电子阻挡层和P型半导体层；其中，所述N型半导体层依次包括：第一多孔低温GaN层、第二多孔AlGaNGaN超晶格层、第三高温GaN层、第四多孔AlGaNGaN超晶格层、第五高温GaN层。采用本发明，可减少外延材料在生长过程中缺陷的产生，降低材料的位错密度，显著改善外延片材料的质量，从而提高发光二极管有源区中的辐射复合效率，同时能够显著提高有源区中光子逸出体材料的占比。

本发明授权GaN基LED外延片及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种GaN基LED外延片，其特征在于，包括：衬底、缓冲层、N型半导体层、应力释放层、多量子阱发光层、电子阻挡层和P型半导体层； 其中，所述N型半导体层依次包括：第一多孔低温GaN层、第二多孔AlGaNGaN超晶格层、第三高温GaN层、第四多孔AlGaNGaN超晶格层、第五高温GaN层；其中， 所述第一多孔低温GaN层设有贯穿所述第一多孔低温GaN层的第一V型孔洞； 所述第二多孔AlGaNGaN超晶格层设有第二V型孔洞和第三V型孔洞，所述第二V型孔洞为在所述第一V型孔洞的基础上生长得到，所述第二V型孔洞的开口尺寸大于所述第三V型孔洞的开口尺寸； 所述第三高温GaN层完全填充所述第三V型孔洞，并设有第四V型孔洞，所述第四V型孔洞为在所述第二V型孔洞的基础上生长得到； 所述第四多孔AlGaNGaN超晶格层沉积于第三高温GaN层之上，形成第五V型孔洞和应力释放孔，所述第五V型孔洞为在所述第四V型孔洞的基础上生长得到； 所述第五高温GaN层完全填充所述第五V型孔洞和应力释放孔； 所述第二多孔AlGaNGaN超晶格层包括依次层叠的第二多孔AlGaN层和第二多孔GaN层，交替层叠周期数为2～20； 所述第二多孔AlGaN层为低掺杂有Si元素，Si掺杂浓度为5.2×1017cm3～1.6×1019cm3，Al组分0.2≤X2≤0.8，厚度为1.2nm～20nm，生长温度为900℃～1150℃，压力为30torr～320torr； 所述第二多孔GaN层为高掺杂有Si元素，Si掺杂浓度为2.5×1018cm3～3.2×1019cm3，厚度为1.2nm～20nm，生长温度为900℃～1150℃，压力为30torr～320torr； 所述第四多孔AlGaNGaN超晶格层包括依次层叠的第四多孔AlGaN层和第四多孔GaN层，交替层叠周期数为3～50； 所述第四多孔AlGaN层为低掺杂有Si元素，Si掺杂浓度为8.5×1017cm3～1.9×1019cm3，Al组分0.02≤X4≤0.5，厚度为2nm～30nm，生长温度为920℃～1180℃，压力为30torr～320torr； 所述第四多孔GaN层为高掺杂有Si元素，Si掺杂浓度为3.0×1018cm3～3.8×1019cm3，厚度为2nm～30nm，生长温度为920℃～1180℃，压力为30torr～320torr； Al组分第二多孔AlGaNGaN超晶格层大于第四多孔AlGaNGaN超晶格层，即X2＞X4。

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