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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种适用于低工作电流密度的Micro-LED外延结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119342952B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411408865.1，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种适用于低工作电流密度的Micro-LED外延结构及其制备方法是由舒俊;高虹;郑文杰;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2024-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种适用于低工作电流密度的Micro-LED外延结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种适用于低工作电流密度的Micro‑LED外延结构及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。Micro‑LED外延结构包括衬底、缓冲层、N型半导体层、低温应力释放层、多量子阱发光层和P型半导体层；多量子阱发光层包括由下至上依次设置的第一短波多量子阱层、第二长波多量子阱层和第三短波多量子阱层；第一短波多量子阱层中的In组分和第三短波多量子阱层中的In组分均小于第二长波多量子阱层中的In组分。本发明的Micro‑LED外延结构可显著改善多量子阱发光层的质量，改善发光量子阱区域中电子空穴浓度的匹配度，提高发光量子阱区域的辐射复合效率，从而提高Micro‑LED芯片在低工作电流密度下的光效，解决了传统可见光LED的外延结构在低工作电流密度下的发光效率较低的问题。

本发明授权一种适用于低工作电流密度的Micro-LED外延结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种适用于低工作电流密度的Micro-LED外延结构，包括衬底，其特征在于，还包括在所述衬底上依次层叠的缓冲层、N型半导体层、低温应力释放层、多量子阱发光层和P型半导体层，且在多量子阱发光层之上不设置电子阻挡层； 所述多量子阱发光层包括由下至上依次层叠生长的第一短波多量子阱层、第二长波多量子阱层和第三短波多量子阱层；所述第一短波多量子阱层中的In组分和所述第三短波多量子阱层中的In组分均小于所述第二长波多量子阱层中的In组分； 所述第一短波多量子阱层包括由下至上依次周期性交替生长的第一短波多量子阱InGaN层和第一短波多量子阱高势垒垒层； 所述第二长波多量子阱层包括由下至上依次周期性交替生长的第二长波多量子阱InGaN层和第二长波多量子阱低势垒垒层； 所述第三短波多量子阱层括由下至上依次周期性交替生长的第三短波多量子阱InGaN层和第三短波多量子阱高势垒垒层； 所述第一短波多量子阱高势垒垒层包括由下至上依次层叠生长的第一高势垒GaN-1层、第一高势垒AlGaN-2层和第一高势垒GaN-3层； 所述第一高势垒GaN-1层和所述第一高势垒GaN-3层中均掺杂有Si元素； 所述第三短波多量子阱高势垒垒层包括由下至上依次层叠生长的第三高势垒GaN-1层、第三高势垒AlGaInN-2层、第三高势垒AlGaN-3层和第三高势垒GaN-4层； 所述第三高势垒AlGaInN-2层和所述第三高势垒GaN-4层中均掺杂有Mg元素； 所述第一高势垒GaN-1层的厚度为2nm~6nm，Si元素的掺杂浓度为1.2×1017~7.6×1018atomscm3，生长温度为820℃~935℃，压力为50torr~360torr； 所述第一高势垒AlGaN-2层中Al组分的占比为0.02~0.3，厚度为1.2nm~5nm，生长温度为820℃~935℃，压力为50torr~360torr； 所述第一高势垒GaN-3层的厚度为2nm~6nm，Si元素的掺杂浓度为1.2×1017~7.6×1018atomscm3，生长温度为820℃~935℃，压力为50torr~360torr； 所述第三高势垒GaN-1层的厚度为0.5nm~3nm，生长温度为820℃~935℃，压力为50torr~360torr； 所述第三高势垒AlGaInN-2层中Al组分的占比为0.02~0.3，In组分的占比为0.01~0.08，厚度为0.8nm~5nm，Mg元素的掺杂浓度为3.6×1018~7.8×1019atomscm3，生长温度为820℃~935℃，压力为50torr~360torr； 所述第三高势垒AlGaN-3层中Al组分的占比为0.02~0.3，厚度为0.5nm~3nm，生长温度为820℃~935℃，压力为50torr~360torr； 所述第三高势垒GaN-4层的厚度为0.8nm~5nm，Mg元素的掺杂浓度为3.6×1018~7.8×1019atomscm3，生长温度为820℃~935℃，压力为50torr~360torr。

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