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龙图腾网获悉西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安欣芯材料科技有限公司申请的专利硅片测试方法、系统、设备及硅片加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119361459B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411437037.0，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权硅片测试方法、系统、设备及硅片加工方法是由王雷;王琳;李佳诚;赵恒设计研发完成，并于2024-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本硅片测试方法、系统、设备及硅片加工方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种硅片测试方法、系统、设备及硅片加工方法，该硅片测试方法包括：基于第一预设测量参数，对硅片逐一地进行测量，以获取硅片的规格参数，规格参数包括微粒污染度、边缘完整度、表面平整度、纳米形貌和硅片厚度中至少一项；判断规格参数是否达到对应第一目标等级的第一目标阈值；若判断结果为规格参数未达到第一目标阈值，基于规格参数对硅片进行模拟测试，以预测得到硅片在第二预设测量参数下对应的预测规格参数，是否达到对应第二目标等级的第二目标阈值；若预测结果为预测规格参数未达到第二目标阈值，将硅片进行返工或报废处理。本公开的硅片测试方法、系统、设备及硅片加工方法，提升设备产能和有效稼动率。

本发明授权硅片测试方法、系统、设备及硅片加工方法在权利要求书中公布了：1.一种硅片测试方法，其特征在于，包括： 基于第一预设测量参数，对硅片逐一地进行测量，以获取硅片的规格参数，所述规格参数包括微粒污染度、边缘完整度、表面平整度、纳米形貌和硅片厚度中至少一项； 判断所述规格参数是否达到对应第一目标等级的第一目标阈值； 若判断结果为所述规格参数未达到所述第一目标阈值，基于所述规格参数对所述硅片进行模拟测试，以预测得到所述硅片在第二预设测量参数下对应的预测规格参数，是否达到对应第二目标等级的第二目标阈值，其中所述第二目标等级相对所述第一目标等级的等级降低； 若预测结果为所述预测规格参数未达到所述第二目标阈值，将所述硅片进行返工或报废处理； 其中，所述若判断结果为所述规格参数未达到所述第一目标阈值，基于所述规格参数对所述硅片进行模拟测试，以预测得到所述硅片在第二预设测量参数下对应的预测规格参数，是否达到对应第二目标等级的第二目标阈值，具体包括： 预先存储不同目标等级的预设测量参数和目标阈值之间的对应关系； 根据所述对应关系，基于所述规格参数、所述第一预设测量参数、及对硅片降级为所述第二目标等级测试后对应的第二预设测量参数，获取所述硅片降级为所述第二目标等级之后的模拟规格参数； 将所述模拟规格参数与所述第二目标阈值进行比较，以得到所述预测结果； 所述方法还包括： 若预测结果为所述预测规格参数达到所述第二目标阈值，对所述硅片进行预降级处理，并对所述硅片进行相应的降级后模拟测试。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安欣芯材料科技有限公司，其通讯地址为：710000 陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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