深圳市昇维旭技术有限公司王景皓获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市昇维旭技术有限公司申请的专利存储器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119364759B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410637496.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储器及其制造方法是由王景皓;藤泽幸治设计研发完成，并于2024-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开属于半导体技术领域，具体涉及一种存储器及其制造方法，该存储器的制造方法包括以下步骤：提供一半导体基底；在半导体基底上制备至少一个存储单元，存储单元包括至少一个晶体管，每个晶体管包括栅极、栅介质、半导体沟道、上电极和下电极，半导体沟道至少环绕在栅极的外周侧，栅介质形成在半导体沟道与栅极之间，上电极和下电极均位于半导体沟道的外侧，并与半导体沟道相接触，下电极绝缘设置在上电极的下方；对存储单元中的至少一个晶体管中的有效半导体沟道的待氧化区域进行氧化处理，以使待氧化区域形成为氧化沟道。该方案可在改善栅极对半导体沟道的控制能力的同时，降低源漏极与半导体沟道的接触电阻。
本发明授权存储器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一半导体基底； 在所述半导体基底上制备至少一个存储单元，所述存储单元包括至少一个晶体管，每个所述晶体管包括栅极、栅介质、半导体沟道、上电极和下电极，所述半导体沟道至少环绕在所述栅极的外周侧，所述栅介质形成在所述半导体沟道与所述栅极之间，所述上电极和所述下电极均位于所述半导体沟道的外侧，并与所述半导体沟道相接触，所述下电极绝缘设置在所述上电极的下方，所述上电极和所述下电极中一者为源极，另一者为漏极； 对所述存储单元中的至少一个所述晶体管中的有效半导体沟道的待氧化区域进行氧化处理，以使所述待氧化区域形成为氧化沟道，所述待氧化区域为所述有效半导体沟道的至少部分区域，且所述上电极和所述下电极均不与所述氧化沟道接触；其中，所述有效半导体沟道为所述半导体沟道位于所述上电极和所述下电极之间的部分。
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