浙江大学盛况获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种逆导型IGBT器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119364787B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411385013.5，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权一种逆导型IGBT器件及制备方法是由盛况;王珩宇;邹扬设计研发完成，并于2024-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种逆导型IGBT器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域中的一种逆导型IGBT器件及制备方法，包括：第一阳极结构；第二阳极结构，第二阳极结构与第一阳极结构位于同一表面，且第二阳极结构与第一阳极结构通过N型漂移层相连；漂移区结构，漂移区结构设置于第一阳极结构和第二阳极结构上，漂移区结构与第二阳极结构形成第一PN结势垒，漂移区结构与第一阳极结构形成第二PN结势垒；栅极结构，栅极结构设置于漂移区结构背离第一阳极结构的表面上；阴极结构，阴极结构设置在栅极结构上，解决了器件由单极工作模式过渡到双极工作模式时出现的回跳现象所带来的电流错分问题。
本发明授权一种逆导型IGBT器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种逆导型IGBT器件，其特征在于，包括： 第一阳极结构，所述第一阳极结构包括第二P型阳极区和阳极电极，所述阳极电极设置于第二P型阳极区背离漂移区结构的表面上； 第二阳极结构，所述第二阳极结构与第一阳极结构位于同一表面，且所述第二阳极结构与第一阳极结构通过N型漂移层相连，其中，所述第二阳极结构包括第一P型阳极区和肖特基阳极，所述肖特基阳极设置于第一P型阳极区背离漂移区结构的表面上； 漂移区结构，所述漂移区结构设置于第一阳极结构和第二阳极结构上，所述漂移区结构与第二阳极结构形成第一PN结势垒，所述漂移区结构与第一阳极结构形成第二PN结势垒； 栅极结构，所述栅极结构设置于漂移区结构背离第一阳极结构的表面上； 阴极结构，所述阴极结构设置在栅极结构上。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江大学，其通讯地址为：310000 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励