重庆邮电大学王琦获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆邮电大学申请的专利一种抗辐照的光子芯片复合膜层结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119364930B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411501927.3，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权一种抗辐照的光子芯片复合膜层结构是由王琦;刘大鹏;黄义;张红升设计研发完成，并于2024-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种抗辐照的光子芯片复合膜层结构在说明书摘要公布了：本发明涉及一种抗辐照的光子芯片复合膜层结构，属于光电子集成技术领域。该结构从下自上包括硅衬底、二氧化硅包层一、铝薄膜一、二氧化硅层二、硅条波导\光栅\硅脊型波导\调制器\锗硅探测器、二氧化硅包层三、铝薄膜二、二氧化硅层四、氮化硅层。本发明围绕典型的硅基光电子芯片设计了铝薄膜、二氧化硅和氮化硅多层构成的复合膜层，可以有效隔绝宇宙环境中的带电粒子、不带电子粒子和光子，主要是α粒子、重离子、中子、X射线和γ射线等因子的作用，有效保护硅基光电子芯片内的无源和有源器件，包括波导、光栅、调制器、探测器等器件，解决硅基光电子芯片在宇宙环境下受到辐照影响性能退化的问题。
本发明授权一种抗辐照的光子芯片复合膜层结构在权利要求书中公布了：1.一种抗辐照的光子芯片复合膜层结构，其特征在于：包括： 硅衬底； 位于硅衬底上的二氧化硅包层； 位于二氧化硅包层上的铝薄膜保护层； 位于铝薄膜保护层上的二氧化硅层； 位于二氧化硅层上的硅条波导、光栅、硅脊型波导、调制器和锗硅探测器； 位于硅条波导、光栅、硅脊型波导、调制器和锗硅探测器上的二氧化硅包层； 位于二氧化硅包层上的铝薄膜保护层； 位于铝薄膜保护层上的二氧化硅层； 位于二氧化硅层上的氮化硅层； 所述铝薄膜保护层、二氧化硅层、氮化硅层复合膜层在光栅、调制器和探测器需要开窗和电极连接的器件位置针对性开窗，在实现芯片大面积保护的同时不影响光学耦合与电学性能。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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