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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利芯粒集成后道工艺残余应力影响晶体管器件性能的虚拟化测试与系统-工艺协同优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119397798B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411539502.1，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权芯粒集成后道工艺残余应力影响晶体管器件性能的虚拟化测试与系统-工艺协同优化方法是由陈文超;田亮;李达;李尔平设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯粒集成后道工艺残余应力影响晶体管器件性能的虚拟化测试与系统-工艺协同优化方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种芯粒集成后道工艺残余应力影响晶体管器件性能的虚拟化测试与系统‑工艺协同优化方法。该发明从芯粒集成后道工艺仿真与量子输运方程出发，研究芯粒集成后道工艺残余应力对晶体管器件性能的影响，评估器件电流‑电压曲线、载流子分布、态密度等性能指标。主要包括：1对芯粒集成后道工艺进行建模与仿真以确定其导致的残余应力；2将芯粒集成后道工艺残余应力与形变势理论相结合，并代入量子输运仿真，以考虑应力对器件能带结构的影响；3分析仿真结果，实现芯粒集成后道工艺残余应力对晶体管器件性能影响的虚拟化测试与系统‑技术协同优化。该方法在工艺过程系统‑技术协同优化、半导体器件仿真与设计领域具有重要应用价值。

本发明授权芯粒集成后道工艺残余应力影响晶体管器件性能的虚拟化测试与系统-工艺协同优化方法在权利要求书中公布了：1.芯粒集成后道工艺残余应力影响晶体管器件性能的虚拟化测试与系统-工艺协同优化方法，其特征在于，对芯粒集成后道工艺进行建模，得到铜柱工艺残余应变，将其作为应变源，对整个芯粒集成结构进行固体力学数值仿真以获取芯粒集成后道工艺残余应力在晶体管器件中的分布，并将工艺残余应力引入到器件量子输运仿真的形变势哈密顿量中以考虑应力对器件能带结构的影响，随后将考虑应力形变势哈密顿量的非平衡格林函数与泊松方程自洽求解至稳态，并进行后处理以获取器件的性能指标，最终得到芯粒集成后道工艺残余应力对器件性能影响的综合评估；其中包括： 对芯粒集成后道工艺进行建模与仿真以确定其导致的残余应力；具体包括： 1对芯粒集成后道工艺进行建模，芯粒集成后道工艺包括芯粒表面平滑处理、互联铜柱制作、室温氧化物-氧化物键合、升温退火、冷却；其中，互联铜柱制作为芯粒引入初始应力，升温时上下芯粒处铜柱膨胀、并接触成键，退火过程中铜柱应力弛豫，冷却步骤中由于铜柱与芯粒的热失配产生应力，最终形成芯粒集成后道工艺残余应力； 2按照上述建模对芯粒集成后道工艺残余应力进行固体力学数值仿真，应力源为铜柱与氧化物之间的热失配应力，求解的数值方程为应力平衡方程，以此得到芯粒集成后道工艺残余应力在晶体管器件中的分布； 将芯粒集成后道工艺残余应力与形变势理论相结合，并代入量子输运仿真，以考虑应力对器件能带结构的影响；具体包括如下： 将芯粒集成后道工艺残余应力由器件坐标系转至晶体坐标系中，并根据形变势理论计算形变势哈密顿量；系统哈密顿量为： ， 其中，为六带k·p哈密顿量，为轨道-自选耦合哈密顿量，为应力形变势哈密顿量； 分析仿真结果，实现芯粒集成后道工艺残余应力对晶体管器件性能影响的虚拟化测试，从而指导优化。

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