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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利沿斜面终端P沟道的改善开关特性的碳化硅浮动结结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119403140B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411439623.9，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权沿斜面终端P沟道的改善开关特性的碳化硅浮动结结构是由袁昊;孙悦;宋庆文;汤晓燕;李靖域;刘延聪设计研发完成，并于2024-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本沿斜面终端P沟道的改善开关特性的碳化硅浮动结结构在说明书摘要公布了：本发明提供沿斜面终端P沟道的改善开关特性的碳化硅浮动结结构，涉及半导体功率器件技术领域。包括N型漂移区，形成于N型衬底上；多个第一P型浮动结、多个第二P型浮动结和多个P型掺杂区，均形成于N型漂移区的中间区域并间隔排布，且分别上下相对设置；第一P型浮动结过渡区形成于N型漂移区内且环绕多个第一P型浮动结；第二P型浮动结过渡区形成于N型漂移区内且环绕多个第二P型浮动结；P型过渡区形成于N型漂移区内且环绕多个P型掺杂区；斜面终端P沟道，形成于N型漂移区两端的斜面、第一P型浮动结过渡区两端的斜面、第二P型浮动结过渡区两端的斜面以及P型过渡区的两端上。这样，使得开关特性较好、工艺成本较低和时间成本较低。

本发明授权沿斜面终端P沟道的改善开关特性的碳化硅浮动结结构在权利要求书中公布了：1.一种沿斜面终端P沟道的改善开关特性的碳化硅浮动结结构，其特征在于，所述沿斜面终端P沟道的改善开关特性的碳化硅浮动结结构包括： N型衬底； N型漂移区，形成于所述N型衬底上且所述N型漂移区的两端均为斜面； 多个第一P型浮动结，形成于所述N型漂移区的中间区域并间隔排布； 第一P型浮动结过渡区，形成于所述N型漂移区内且环绕所述多个第一P型浮动结，所述第一P型浮动结过渡区的两端均为斜面； 多个第二P型浮动结，形成于所述N型漂移区的中间区域并间隔排布，且多个第二P型浮动结与所述多个第一P型浮动结上下相对设置； 第二P型浮动结过渡区，形成于所述N型漂移区内部且环绕所述多个第二P型浮动结，所述第二P型浮动结过渡区的两端均为斜面； 多个P型掺杂区，形成于所述N型漂移区的中间区域并间隔排布，且多个P型掺杂区与所述多个第二P型浮动结上下相对设置，所述多个P型掺杂区的上表面与所述N型漂移区的上表面处于同一水平面； P型过渡区，形成于所述N型漂移区内部且环绕所述多个P型掺杂区； 斜面终端P沟道，形成于所述N型漂移区两端的斜面、所述第一P型浮动结过渡区两端的斜面、所述第二P型浮动结过渡区两端的斜面以及所述P型过渡区的两端上。

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