厦门大学;嘉庚创新实验室黄凯获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门大学;嘉庚创新实验室申请的专利微型发光二极管发光单元、器件及器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119419203B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411353917.X，技术领域涉及：H01L25/16；该发明授权微型发光二极管发光单元、器件及器件的制备方法是由黄凯;许腾飞;李金钗;杨旭;张荣设计研发完成，并于2024-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本微型发光二极管发光单元、器件及器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及微型发光二极管技术领域，公开微型发光二极管发光单元、器件及器件的制备方法。包括：驱动电路层、外延结构、第一透明导电层、钝化层、第二透明导电层、电极结构、介电材料层和金属准直结构；外延结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一透明导电层设置在驱动电路层与外延结构之间；钝化层设置在外延结构和第一透明导电层侧壁及驱动电路层上表面；第二透明导电层覆盖外延结构及钝化层的外表面；电极结构设置在第二透明导电层上；介电材料层设置在外延结构上；金属准直结构设置在介电材料层上，形成通孔以及环形凹槽。本发明的介电材料层增大出射光临界角，提高光提取效率；金属准直结构减小发散角和光串扰，实现汇聚准直。
本发明授权微型发光二极管发光单元、器件及器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种微型发光二极管发光单元，其特征在于，包括： 驱动电路层； 外延结构，设置在所述驱动电路层上，包括依次设置的第一半导体层、有源层和第二半导体层； 第一透明导电层，设置在所述驱动电路层与所述外延结构之间； 钝化层，设置在所述外延结构和所述第一透明导电层的侧壁上，且覆盖所述驱动电路层靠近所述外延结构一侧露出的表面； 第二透明导电层，覆盖在所述外延结构以及所述钝化层的外表面； 电极结构，设置在所述第二透明导电层上； 介电材料层，设置在所述外延结构背离所述驱动电路层一侧的第二透明导电层上； 金属准直结构，设置在所述介电材料层背离所述驱动电路层的一侧；所述金属准直结构形成有贯穿所述金属准直结构的通孔以及环绕所述通孔的多个同心的环形凹槽；所述金属准直结构和所述介电材料层适于在界面区域形成电磁模，以提高出光效率和降低相邻子像素之间的光串扰。
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