华中科技大学张猛获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利适用于三维NAND闪存的动态纠错方法、控制器和存储系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119440906B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411540933.X,技术领域涉及:G06F11/10;该发明授权适用于三维NAND闪存的动态纠错方法、控制器和存储系统是由张猛;吴非;涂瑞峰;李威;李阳羿;谢长生设计研发完成,并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本适用于三维NAND闪存的动态纠错方法、控制器和存储系统在说明书摘要公布了:本发明公开了适用于三维NAND闪存的动态纠错方法、控制器和存储系统,属于半导体存储技术领域,包括:编码阶段:对于待写入三维NAND闪存的数据进行极化码编码,得到长度为N的码字序列;译码阶段:对于从三维NAND闪存读出的长度为N的数据,计算每一位的LLR值;设定SCL译码算法的列表长度后,将N位LLR值输入SCL译码算法,实现译码;设定SCL译码算法的列表长度包括:获取三维NAND闪存当前的原始误码率下,SCL译码算法在不同列表长度下的误码率,从中筛选出误码率低于预设性能阈值的列表长度,将SCL译码算法的列表长度设定为筛选出的最小长度。本发明与三维NAND闪存的错误特性相适应,能够在保证满足纠错需求的情况下降低开销。
本发明授权适用于三维NAND闪存的动态纠错方法、控制器和存储系统在权利要求书中公布了:1.一种适用于三维NAND闪存的动态纠错方法,其特征在于,包括:编码阶段和译码阶段; 所述编码阶段包括:对于待写入所述三维NAND闪存的数据进行极化码编码,得到长度为预设长度N的码字序列;N=2x,x为自然数; 所述译码阶段包括:对于从所述三维NAND闪存读出的长度为N的数据,计算每一位对应的LLR值,得到N位软信息;设定SCL译码算法的列表长度后,将所述N位软信息输入所述SCL译码算法,实现译码; 其中,所述设定SCL译码算法的列表长度包括如下步骤: S1、确定所述三维NAND闪存当前各层的原始误码率,并获取当前各层的原始误码率下,所述SCL译码算法在不同列表长度下的误码率,从中筛选出误码率低于预设性能阈值的列表长度,得到列表长度候选集; S2、将所述SCL译码算法的列表长度设定为所述列表长度候选集中的最小长度。
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