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龙图腾网获悉福建省福联集成电路有限公司申请的专利一种带PN结结构的薄膜电阻溅镀工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119451135B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411600908.6，技术领域涉及：H10D1/43；该发明授权一种带PN结结构的薄膜电阻溅镀工艺是由黄光伟;张朝闵;陈建星;吴靖;陈超设计研发完成，并于2024-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种带PN结结构的薄膜电阻溅镀工艺在说明书摘要公布了：本发明提出了一种带PN结结构的薄膜电阻溅镀工艺，包括以下步骤：1在衬底上依次设置Caplayer层和蚀刻层，蚀刻层从下到上包括依次堆叠的第一InGaP层、第一GaAs层、第二InGaP层和第二GaAs层；2蒸镀形成P‑contact层；3蚀刻形成第一上凸岛和第二上凸岛；4蚀刻形成第一下岛座和第二下岛座；5蒸镀形成N‑contact层；6蚀刻形成溅镀空腔；7薄膜电阻溅镀。本发明有效解决带PN结结构的薄膜电阻溅镀时产生边缘翘起的问题，提高外观良率，不会产生后续引线金属连过凸点位置容易引起器件的失效；并且本发明的工艺可以利用现有结构，无额外新增光罩，未增加成本。

本发明授权一种带PN结结构的薄膜电阻溅镀工艺在权利要求书中公布了：1.一种带PN结结构的薄膜电阻溅镀工艺，其特征在于：包括以下步骤： 1在衬底上依次设置Caplayer层和蚀刻层，蚀刻层从下到上包括依次堆叠的第一InGaP层、第一GaAs层、第二InGaP层和第二GaAs层； 2在第二GaAs层上涂布第一光阻，在PN结的P极区对第一光阻进行曝光和显影，露出第二GaAs层，形成PN结的P极窗口，接着进行第一次金属蒸镀，在P极窗口底部的第二GaAs层上形成P-contact层，P-contact层的厚度小于第一光阻的厚度，去除第一光阻上第一次金属蒸镀多余的金属，再去除第一光阻； 3在第二GaAs层的P-contact层及其周围、薄膜电阻制程区分别涂布第二光阻，依次对第二光阻区域外的第二GaAs层和第二InGaP层进行蚀刻，接着去掉第二光阻，P-contact层底部剩余的第二GaAs层和第二InGaP层形成第一上凸岛，薄膜电阻制程区剩余的第二GaAs层和第二InGaP层形成第二上凸岛； 4分别在第一上凸岛和第二上凸岛及其周围区域涂布第三光阻，依次对第三光阻外的第一GaAs层和第一InGaP层进行蚀刻，接着去掉第三光阻，第一上凸岛底部的第一GaAs层和第一InGaP层形成第一下岛座，第二上凸岛底部的第一GaAs层和第一InGaP层形成第二下岛座，第一下岛座的宽度大于第一上凸岛； 5在Caplayer层上涂布第四光阻，第四光阻覆盖Caplayer层上面的所有部件，对第四光阻进行曝光和显影，形成一个通到第一下岛座上表面的PN结的N极窗口，然后进行第二次金属蒸镀，在N极窗口底部的Caplayer层上形成N-contact层，N-contact层的厚度小于第四光阻的厚度，去除第四光阻上第二次金属蒸镀多余的金属，再去除第四光阻； 6在Caplayer层上涂布第五光阻，第五光阻覆盖Caplayer层上面的所有部件，对第五光阻进行曝光和显影，在第五光阻上形成通到第二上凸岛上表面的溅镀窗口，通过溅镀窗口对第二凸岛和第二下岛座进行蚀刻，蚀刻掉全部的第二凸岛和第二下岛座形成溅镀空腔； 7进行薄膜电阻溅镀，在溅镀空腔的底部形成薄膜电阻层，薄膜电阻层的厚度小于溅镀空腔的厚度，去除第五光阻上的溅镀余料，最后去除第五光阻。

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