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龙图腾网获悉海信家电集团股份有限公司申请的专利一种IGBT结构及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119451143B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411496300.3，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权一种IGBT结构及半导体器件是由张永旺;刘恒;杨晶杰;储金星;陈道坤设计研发完成，并于2024-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种IGBT结构及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请公开了一种IGBT结构及半导体器件，IGBT结构包括：基体、第一导电类型的漂移区、第二导电类型的集电区、有源栅、第二导电类型的体区、第二导电类型的第一掺杂区、第一导电类型的发射区、第二导电类型的第二掺杂区，有源栅自第一主面向第二主面延伸至漂移区中；第一掺杂区和体区分别设于有源栅的两侧，且位于漂移区朝向第一主面的一侧；发射区位于体区朝向第一主面的一侧且位于相邻的两个有源栅之间，发射区包括第一发射区和第二发射区，第一发射区和第二发射区分别覆盖至少部分地第一体区和第二体区；第二掺杂区的掺杂浓度大于体区的掺杂浓度。根据本申请的IGBT结构及半导体器件，可有效避免有源栅之间的窄台面发生电导调制，避免出现CIBL效应。

本发明授权一种IGBT结构及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种IGBT结构，其特征在于，包括： 基体，所述基体具有第一主面和位于所述第一主面的相反侧的第二主面，所述第一主面和所述第二主面沿第一方向间隔设置； 第一导电类型的漂移区，所述漂移区设于所述第一主面和所述第二主面之间； 第二导电类型的集电区，所述集电区设于所述漂移区朝向所述第二主面的一侧； 有源栅，所述有源栅自所述第一主面向所述第二主面延伸至所述漂移区中； 第二导电类型的体区，设于所述有源栅外侧的所述基体内，并且位于所述漂移区朝向所述第一主面的一侧，所述体区包括沿着第二方向间隔设置的第一体区和第二体区，其中所述第二方向垂直于所述第一方向； 第二导电类型的第一掺杂区，所述第一掺杂区和所述第一体区以及所述第二体区分别设于所述有源栅的两侧，且位于所述漂移区朝向所述第一主面的一侧； 第一导电类型的发射区，所述发射区位于所述第一体区和所述第二体区朝向所述第一主面的一侧且位于相邻的两个所述有源栅之间，所述发射区包括第一发射区和第二发射区，所述第一发射区和所述第二发射区在第二方向上间隔设置，所述第一发射区和所述第二发射区分别覆盖至少部分地所述第一体区和所述第二体区； 虚拟栅，所述虚拟栅自所述第一主面向所述第二主面延伸至所述漂移区中，所述虚拟栅和所述有源栅沿第三方向间隔设置，所述第一掺杂区位于所述虚拟栅的外侧，所述第三方向垂直于所述第一方向和所述第二方向； 第二导电类型的第二掺杂区，设于所述第一体区和所述第二体区之间，且位于所述漂移区朝向所述第一主面的一侧，所述第二掺杂区的掺杂浓度大于所述第一体区的掺杂浓度且大于所述第二体区的掺杂浓度。

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