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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利垂直叠置半导体器件的制备方法和垂直叠置半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119451208B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411612760.8，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权垂直叠置半导体器件的制备方法和垂直叠置半导体器件是由殷华湘;张青竹;曹磊;李庆坤设计研发完成，并于2024-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本垂直叠置半导体器件的制备方法和垂直叠置半导体器件在说明书摘要公布了：本公开提供了一种垂直叠置半导体器件的制备方法和垂直叠置半导体器件。该制备方法包括：在衬底上依次设置下部叠层结构、中间层和上部叠层结构；对下部叠层结构、中间层和上部叠层结构连同衬底的上部进行构图；在衬底上形成沿与第一方向相交的第二方向延伸从而与鳍交叉的牺牲栅；在牺牲栅的侧壁上形成栅侧墙；对下部叠层结构、中间层和上部叠层结构进行构图；对牺牲层和中间层进行选择性刻蚀；在鳍中由于牺牲层和中间层的选择性刻蚀而释放的空间中填充电介质材料；形成与下部叠层结构中的沟道层的显露的侧表面相接的下部源漏层以及与上部叠层结构中的沟道层的显露的侧表面相接的上部源漏层；以及将牺牲栅和牺牲层替换为栅堆叠。

本发明授权垂直叠置半导体器件的制备方法和垂直叠置半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种垂直叠置半导体器件的制备方法，包括： 在衬底上依次设置下部叠层结构、中间层和上部叠层结构，所述下部叠层结构和所述上部叠层结构各自包括交替设置的沟道层和牺牲层，其中，所述牺牲层和所述中间层相对于所述衬底和所述沟道层具有刻蚀选择性； 对所述下部叠层结构、所述中间层和所述上部叠层结构连同所述衬底的上部进行构图，以形成沿第一方向延伸的鳍； 在所述衬底上形成沿与所述第一方向相交的第二方向延伸从而与所述鳍交叉的牺牲栅； 在所述牺牲栅的侧壁上形成栅侧墙； 以所述牺牲栅和所述栅侧墙作为掩模，对所述下部叠层结构、所述中间层和所述上部叠层结构进行构图，从而构图后的所述下部叠层结构、所述中间层和所述上部叠层结构具有在所述第一方向上被显露的侧表面； 经由所述被显露的侧表面，对所述牺牲层和所述中间层进行选择性刻蚀，其中，在所述选择性刻蚀中，所述中间层的刻蚀速率高于所述牺牲层的刻蚀速率，使得在所述选择性刻蚀完成时，所述中间层被去除，而所述牺牲层被保留，保留的牺牲层在所述第一方向上的端部相对于所述沟道层凹进； 在所述鳍中由于所述牺牲层和所述中间层的选择性刻蚀而释放的空间中填充电介质材料，其中，所述电介质材料的填充在所述牺牲层的所述端部处的部分用作内侧墙，所述电介质材料的填充在所述下部叠层结构与所述上部叠层结构之间的部分用作器件间隔离层； 形成与所述下部叠层结构中的所述沟道层的显露的侧表面相接的下部源漏层以及与所述上部叠层结构中的所述沟道层的显露的侧表面相接的上部源漏层；以及 将所述牺牲栅和所述牺牲层替换为栅堆叠。

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