格科半导体(上海)有限公司王晓龙获国家专利权
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龙图腾网获悉格科半导体(上海)有限公司申请的专利一种提高光刻工艺窗口的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119472163B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411926387.3，技术领域涉及：G03F7/00；该发明授权一种提高光刻工艺窗口的方法是由王晓龙;张楠楠设计研发完成，并于2024-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高光刻工艺窗口的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种提高光刻工艺窗口的方法，包括：提供一包括功能性器件的图形和非功能性的虚拟结构的图形的版图设计；采用第一次光学邻近效应修正对版图设计迭代优化；其中，虚拟结构的图形被视为功能性器件的图形进行优化；对经过第一次光学邻近效应修正后的版图设计进行弱点检测，并筛选出由虚拟结构的图形引起的工艺弱点；针对由虚拟结构的图形引起的工艺弱点，采用第二次光学邻近效应修正进行优化；其中，第二次光学邻近效应修正对虚拟结构的图形进行操作；再次对版图设计进行弱点检测，判断由虚拟结构的图形引起的工艺弱点是否被优化。本发明的技术方案针对虚拟结构引入的工艺进行优化，降低了工艺复杂度，提高了光刻工艺窗口。
本发明授权一种提高光刻工艺窗口的方法在权利要求书中公布了：1.一种提高光刻工艺窗口的方法，其特征在于，包括： 提供一版图设计，所述版图设计包括功能性器件的图形和非功能性的虚拟结构的图形； 采用第一次光学邻近效应修正对所述版图设计迭代优化；其中，所述虚拟结构的图形被视为功能性器件的图形进行优化； 对经过所述第一次光学邻近效应修正后的所述版图设计进行弱点检测，并筛选出由所述虚拟结构的图形引起的工艺弱点； 针对由所述虚拟结构的图形引起的工艺弱点，采用第二次光学邻近效应修正进行优化；其中，所述第二次光学邻近效应修正对所述虚拟结构的图形进行操作； 再次对所述版图设计进行弱点检测，判断由所述虚拟结构的图形引起的工艺弱点是否被优化。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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