上海华虹宏力半导体制造有限公司杨赛获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利外延工艺浓度监控的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119480665B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411534782.7，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权外延工艺浓度监控的方法是由杨赛;李昊;陆怡设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本外延工艺浓度监控的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种外延工艺浓度监控的方法，提供衬底，在衬底上形成N型的外延层；在外延层上形成深沟槽，利用外延在深沟槽中形成P型柱，一个P型柱和对应相邻的一个N型柱组成超级结单元；在P型柱上选取至少一个测试区域进行P型离子重掺杂注入，以形成P型重掺杂区；在P型重掺杂区上形成电阻值不高于预设值的金属硅化物层，利用金属硅化物层进行电性测试得到P型柱的电阻测试值，电阻测试值用于表征深沟槽外延填充的电荷量，以监控超级结PN电荷匹配状态。本发明采用工艺简单，周期短的金属硅化物工艺，可以较快实现外延工艺浓度监控目的。
本发明授权外延工艺浓度监控的方法在权利要求书中公布了：1.一种外延工艺浓度监控的方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供衬底，在所述衬底上形成N型的外延层； 步骤二、在所述外延层上形成深沟槽，利用外延在所述深沟槽中形成P型柱，一个所述P型柱和对应相邻的一个N型柱组成超级结单元； 步骤三、根据所述P型柱的尺寸、所述P型柱的条数和金属硅化物层的大小选取测试区域，在所述P型柱上选取至少一个所述测试区域进行P型离子重掺杂注入，以形成P型重掺杂区； 步骤四、在所述P型重掺杂区上形成电阻值不高于预设值的所述金属硅化物层，利用所述金属硅化物层进行电性测试得到所述P型柱的电阻测试值，所述电阻测试值用于表征深沟槽外延填充的电荷量，以监控超级结PN电荷匹配状态。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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